インフィニオンのNチャンネルパワーMOSFET (IPW60R120P7) 600V CoolMOS™ P7 スーパージャンクション（SJ）MOSFET

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インフィニオンのNチャンネルパワーMOSFET (IPW60R120P7) 600V CoolMOS™ P7 スーパージャンクション（SJ）MOSFET

ソース:このサイト時間:2025-02-20ブラウズ数:

深圳市明佳達電子は、インフィニオンのNチャンネルパワーMOSFET (IPW60R120P7) 600V CoolMOS™ P7 Super Junction (SJ) MOSFETを提供しています。 CoolMOS™ 第7世代プラットフォームのクラス最高のR onxAと本質的に低いゲート電荷 (Q G)により、高効率を保証します。機能…

機能概要

特長

-ハードスイッチングとソフトスイッチング（PFCとLLC）の両方で優れた転流強度

-スイッチング損失と伝導損失を大幅に低減

-全製品で2kV（HBM）を上回るESD安定性

-低RDS(on)*A（1Ω*mm²未満）により、RDS(on)/カプセル化製品は競合製品よりも優れている。

-JEDEC産業用アプリケーション認定

利点

フルパワーコンバータとフルパワーモジュレータステージ間の巻線周波数と利用率の低減による使いやすさと高速設計

-スイッチング損失と伝導損失を低減するための簡素化された熱管理

-小型・大型の製品を使用することで、より高い電力密度のソリューションが可能になります。

2kVを超えるESD保護に対応するため、より小型で製造品質の高い製品を使用することで、より高電力密度のソリューションが可能になります。