フラッシュメモリチップ_S79FL512SDSMFBG03_NOR フラッシュメモリ

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フラッシュメモリチップ_S79FL512SDSMFBG03_NOR フラッシュメモリ

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深圳市明佳達電子有限会社の元の本物のInfineonのフラッシュ・メモリの破片_S79FL512SDSMFBG03_NORのフラッシュ・メモリIC 512Mb SPI -クォードI/O 80 MHz 16-SOIC概要S79FL512SDSMFBG03デバイスは、2つのクワッドI/O SPIデバイスを1つのCS#で接続し、8ビットI/Oデータパ…

深圳市明佳達電子有限会社の元の本物のInfineonのフラッシュ・メモリの破片_S79FL512SDSMFBG03_NORのフラッシュ・メモリIC 512Mb SPI -クォードI/O 80 MHz 16-SOIC

概要

S79FL512SDSMFBG03デバイスは、2つのクワッドI/O SPIデバイスを1つのCS#で接続し、8ビットI/Oデータパスを形成します。これらのデバイスは、SPIを介してホスト・システムに接続されます。従来の SPI シングルビット・シリアル入出力（IO1 および IO5）、および 4 ビット（クワッド I/O または QIO）シリアル・コマンドをサポートします。さらに、両デバイスとも、クロックの両エッジでアドレス転送とデータ読み出しを行うQIOのDDRリード・コマンドをサポートしています。 Eclipseアーキテクチャは、最大256ワード（512バイト）または512ワード（1024バイト）を1回の操作でプログラムできるページ・プログラミング・バッファを備えています。これにより、前世代のSPIプログラミングや消去アルゴリズムよりもはるかに高速な、効果的なプログラミング（それぞれ最大2MB/sまたは3MB/s）と消去（最大1MB/s）が可能になります。フラッシュ・メモリから直接コードを実行することは、一般にXIP（executing in place）と呼ばれます。 S79FL-SデバイスとQIOまたはDDR-QIOコマンドをサポートする高クロック・レートで使用することにより、信号数を劇的に削減しながら、命令読み出し転送速度は従来のパラレル・インターフェイス、非同期、NORフラッシュ・メモリと同等以上になります。コード・シャドーイング、XIP、データ・ストレージに最適です。

製品属性

ストレージ容量：512Mビット

電源電圧 - 最小： 2.7 V

電源電圧 - 最大： 3.6 V

アクティブリード電流（最大）：180 mA

インターフェース・タイプ： SPI

最大クロック周波数： 80 MHz

回路構成： 64 M x 8

データ・バス幅： 8ビット

タイミング・タイプ：非同期

最低動作温度： - 40

最大動作温度： + 105