SAMSUNG-高帯域幅メモリの再利用（HBM、HBM2、HBM3、HBM4）

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SAMSUNG-高帯域幅メモリの再利用（HBM、HBM2、HBM3、HBM4）

ソース:このサイト時間:2025-02-18ブラウズ数:

深セン市明佳達電子有限公司は、電子回収分野の第一人者として、その強大な経済力と良好な商業信用によって、迅速に世界各地で多くの工場の顧客の信頼を獲得して、長期的な協力関系を創立しました。SAMSUNGのHBM(高帯域ストレージ)ソリューションは、高性能コンピューティ…

深セン市明佳達電子有限公司は、電子回収分野の第一人者として、その強大な経済力と良好な商業信用によって、迅速に世界各地で多くの工場の顧客の信頼を獲得して、長期的な協力関系を創立しました。

SAMSUNGのHBM(高帯域ストレージ)ソリューションは、高性能コンピューティング(HPC)に最適化されており、人工知能(AI)などの次世代技術が必要とする性能をサポートしています。明佳達電子が回収したHBM製品には主に以下のものが含まれます。

1、hbm‌:これは最初のバージョンは、3 d科学技術を適用したことは余りのdラム垂直普通と共に、シリコン通孔(だけ)技術を通じたチップ間の高速信号伝送。

2、hbm2‌:hbm2のデータ転送rateビアあたり1 gbps−1.6 gbpsに引き上げた2 gbps−3.2 gbps、総帯域幅を大幅に引き上げ、秒速数百gbにできる。

3、hbm2e: hbm2e高性能計算とグラフィックス処理での活躍が、高いの保存容量を提供したとより低いのをなくす‌。

4、hbm3‌:hbm3の帯域が819 gb / s、処理速度が6.4 gbpsだった。hbm3 icebolt 12階を10ナノ級dラムdie 16 gb普通、メモリー容量が24 gb、能效比で世代製品‌10%向上した。

5、HBM3E:これはHBM3の拡張バージョンで、より高いスタック層数と帯域幅を提供します。hbm3e 8ハイと12ハイ2种类の規格をさらに高めたラムシステムのデータ」能力‌。

6、hbm4‌:4 nm制を採用した程の論理に10 nm制程のdラムチップと。hbm4支持2048位インターフェースと6.4 gt / sのデータの伝送rate、シングルスタック1.6テラ/ sの帯域が、大きく引き上げたラムシステムデータ」能力を適用し人工知能、勉強の深さ、大データ処理と高性能の计算などの分野で‌。

回収プロセスです

1、あなたはIC/モジュール在庫を簡単に分類して、型番、ブランド、生産日、数量などを確定します。

2、在庫リストをファックスまたはメールで私たちの評価チームに送ってくださいます。

3、会社の専門の人の購入のオファーを待って、合意した後に双方は具体的な取引の方式を相談して引き渡しを行います。

4、会社はただ正規のルートの商品の源を回収して、例えば代理店、貿易商、端末の工場など、正規のルートの商品の源ではありませんを受け入れません。

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