ロームはTOLL (to-leadless)パッケージの650V耐圧GaN HEMT*1「gnp2070td-z」を量産しました。TOLLパッケージは,小型で放熱性に優れているだけでなく,電流容量やスイッチング特性にも優れているため,産業機器や車載機器,大電力対応を必要とする用途での採用が増えています…
ロームはTOLL (to-leadless)パッケージの650V耐圧GaN HEMT*1「gnp2070td-z」を量産しました。TOLLパッケージは,小型で放熱性に優れているだけでなく,電流容量やスイッチング特性にも優れているため,産業機器や車載機器,大電力対応を必要とする用途での採用が増えています。今回,同社は,半導体後工程サプライヤー(OSAT)として実績のある日月新半導体(威海)有限公司(ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.,以下ATX)にパッケージ工程を外注した。
カーボンフリー社会を実現するためには、「世界の電力使用量の大半を占める電源やモーターの効率化」がグローバルな社会課題となっています。パワーデバイスはその効率向上の鍵となりますが、SiC(炭化ケイ素)やGaNなどの新材料により、さまざまな電源の効率がさらに向上すると期待されています。ロームは、2023年4月に耐圧650Vの第1世代GaN HEMTを、2023年7月にはゲートドライバーと650V耐圧GaN HEMTを一体化したパワーステージICを投入します。高出力アプリケーションにおけるさらなる小型・高効率化のニーズに対応するため、ロームは従来のDFN8080パッケージに追加する形で650V GaN HEMTパッケージのラインナップを強化しています。TOLLパッケージに第2世代の部品を内蔵して製品化した。
新製品は、TOLLパッケージに第2世代GaN on Siチップを内蔵し、オン抵抗と入力容量に関するデバイス性能指標(RDS (on) ×Qoss*2)で業界トップクラスの数値を達成しました。高耐圧かつ高速スイッチングを必要とする電源システムのさらなる省エネと小型化に貢献します。新製品は2024年12月に量産を開始(サンプル価格3,000円/個、税抜き)し、ecでの販売を開始しており、ecサイトからすべて購入できます。
量産に向けては、垂直統合型の一体生産体制で培った部品設計技術と強みを生かして設計、プランニングを行いました。2024年12月10日には、TSMCとの提携の一環として、前工程をTSMC、後工程をATXで生産することを発表しました。また、ATXと提携して車載用GaNデバイスの生産も計画しています。自動車分野でのGaNデバイスの普及は2026年から加速すると予想されており、ロームでは社内開発を強化するとともに、これらのパートナーとの関係をさらに深め、車載用GaNデバイスの市場投入を加速させていく方針です。
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