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Micron LPDDR4 メモリ MT53E2G32D4DT-046 AAT:A ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリを供給します

Micron LPDDR4 メモリ MT53E2G32D4DT-046 AAT:A ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリを供給します

ソース:このサイト時間:2023-08-15ブラウズ数:

明佳達电子会社新規およびオリジナル供給 Micron LPDDR4 メモリ MT53E2G32D4DT-046 AAT:A ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ LPDDR4 64G 2GX32 FBGA QDPメーカー: Micron Technology Inc.モデル番号:MT53E2G32D4DT-046 AAT:A説明:IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ FBGA…

明佳達电子会社新規およびオリジナル供給 Micron LPDDR4 メモリ MT53E2G32D4DT-046 AAT:A ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ LPDDR4 64G 2GX32 FBGA QDP


メーカー: Micron Technology Inc.

モデル番号:MT53E2G32D4DT-046 AAT:A

説明:IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ FBGA

詳細な説明:SDRAM - モバイルLPDDR4メモリIC 64Gb 2.133GHz


Micron LPDDR4メモリの詳細

Micron LPDDR4メモリは、バッテリー駆動アプリケーションの消費電力に対応するよう最適化されています。 これらのメモリデバイスは、DDR4と比較して33%高速なピーク帯域幅を提供します。 LPDDR4メモリは、標準的なDRAMと比較して、スタンバイ・モードで最大1/5の電力を消費します。これらのメモリ・デバイスは、マルチチップ・パッケージ(MCP)およびパッケージ・オン・パッケージ(PoP)設計で設計されており、PCBスペースを節約します。LPDDR4メモリ・デバイスは、x16、x32、およびx64構成に最適化されており、一部のアプリケーションではBOMの節約につながります、 LPDDR4メモリは、性能、消費電力、レイテンシ、物理スペースの完璧なバランスを提供し、非常にエネルギー効率が高くなっています。 これらのLPDDR4メモリ・デバイスは、ハンドヘルド・デバイス、バッテリー駆動アプリケーション、ウルトラ・ポータブル・デバイスに最適です。


製品属性

製品カテゴリー: ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ

タイプ: SDRAMモバイル - LPDDR4

実装スタイル: SMD/SMT

パッケージ/ケース: VFBGA-200

データバス幅: 32ビット

構成: 2 G x 32

メモリ容量: 64 Gビット

最大クロック周波数: 2.133 GHz

最大電源電圧: 1.1 V

最低動作温度: - 40

最大動作温度: + 105

シリーズ: MT53E

製品タイプ: DRAM


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