回収・供給(インフィニオン)650V IKW30N65EL5XKSA1 IGBTスイッチ<10kHzの設計で優れた性能を提供するよう最適化されています。紹介します:Infineon TRENCHSTOP™5 L5(低飽和5)IGBTはスイッチング周波数の反対側にあり、スイッチング<10kHzの設計で優れた性能を提供…
回収・供給(インフィニオン)650V IKW30N65EL5XKSA1 IGBTスイッチ<10kHzの設計で優れた性能を提供するよう最適化されています。
紹介します:
Infineon TRENCHSTOP™5 L5(低飽和5)IGBTはスイッチング周波数の反対側にあり、スイッチング<10kHzの設計で優れた性能を提供するよう最適化されています。Infineon L5は,50Hzから20kHzまでの低スイッチング周波数帯に特化しています。また、30A IGBTに対する1.05Vの低VCE(sat)、無機能電力モードでのcosφ<1のスイッチング損失、電気パラメータの熱安定性が高いという特徴があります。低速スイッチング装置を採用した1.05V VCE(sat) TRENCHSTOP™5 L5は、新しい効率レベルを実現します。
特性です:
低VCE(sat) L5技術の利点は次の通りです。
極低コレクタ-エミッタ飽和電圧(VCEsat)です
優れたオンとスイッチングロスを兼ね備えています
650V貫通電圧です
ゲート電荷が低いのです
最高結温:175°Cです
JEDEC規格に準拠した目的アプリケーション要件を満たしています。
鉛フリーです
RoHS指令に準拠しています
IKW30N65EL5XKSA1の仕様です。
電圧-輻射破壊(最大値):650 Vです
電流-コレクタ(Ic)(最大値):85 Aです
電流-集電パルス(Icm): 120 Aです
異なるVge、Ic時Vce(on)(最大値):1.35V @ 15V, 30A
出力-最大値:227 Wです。
スイッチのエネルギーは470µJ(オン)1.35mJ(オフ)です
入力タイプ:標準です。
ゲート電荷:168 nCです
25°CでTd(オン/オフ)値は33ns/308nsです。
試験条件:400V、30A、10オーム、15Vです。
逆回復時間(trr): 100 nsです。
動作温度:-40℃~ 175℃(TJ)です。
取り付けタイプ:貫通穴です
パッケージ/ハウジング:to-247-3です。
サプライヤーデバイスパッケージ:pg-to247-3です。
基本品番:IKW30N65です。
応用です:
UPSです
太陽光発電用インバータです
はんだ付け機
ご要望がございましたら、陳さんにご連絡ください。
メールボックス:sales@hkmjd.comです。
会社url: www.hkmjd.comです。
連絡先電話：86-755-83294757
企業QQ：1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
サービス時間：9:00-18:00
連絡先メールボックス：sales@hkmjd.com
会社の住所：広東省深圳市福田区振中路国利ビル1239～1241号室
CopyRight©2022 明佳達著作権の所有 広東ICP備05062024号-12
公式QRコード
友情リンク:
最新情報
![[MOSFETトランジスタ] BSC010N04LST OptiMOS™ 5 パワーMOSFET](/upload/202501/11/202501111626399862.jpg)
