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IGBTトランジスタ,600V,ディスクリート半導体,Infineon, IKQ120N60T

IGBTトランジスタ,600V,ディスクリート半導体,Infineon, IKQ120N60T

ソース:本站時間:2023-08-08ブラウズ数:

(回収IGBT) 1200V IKY40N120CS6スロット型フィールドカットオフトランジスタ貫通孔pg-to244-4-2を供給します。概観です:IKY40N120CS6 1200V TRENCHSTOP™IGBT6は、高効率で低導通損失を実現するよう設計されています。これらのTRENCHSTOP IGBT6は、ゲート電荷が低く、電磁…

(回収IGBT) 1200V IKY40N120CS6スロット型フィールドカットオフトランジスタ貫通孔pg-to244-4-2を供給します。


概観です:

IKY40N120CS6 1200V TRENCHSTOP™IGBT6は、高効率で低導通損失を実現するよう設計されています。これらのTRENCHSTOP IGBT6は、ゲート電荷が低く、電磁干渉(EMI)が低く、簡単に並列化が可能で、ハードスイッチや共振トポロジーで高い効率性を備えています。TRENCHSTOP IGBT6には、低オン損失を最適化したS6シリーズと、スイッチング損失を低減したH6シリーズの2つの製品群があります。これらのIGBT6は、前世代のHighSpeed3 H3 IGBTのプラグアンドプレイの代替デバイスであり、簡単に使うことができます。


TRENCHSTOP IGBT6は、溝とフィールド終止技術を採用し、ソフトリカバリと高速リカバリの逆並列ダイオードを備えています。VCEsatの正の温度係数のおかげで、この1200V TRENCHSTOP IGBT6は簡単に並列化できます。典型的な用途としては、産業用UPS、エネルギー貯蔵、三次太陽電池パック、インバータ、溶接などがあります。


特性です:

低導通損失です

低スイッチング損失です

ハードスイッチと共振トポロジーの高効率化です

低EMIです

ゲート電荷が低いのです

VCEsatの正の温度係数のおかげで並列化が容易になりました

超軟化・高速回復全電流逆並列ダイオードです

最高結温:175°Cです

产品.png

典型的な例です

インダストリアルUPSです

充電器です

溶接です

エネルギー貯蔵です

三段太陽電池パックです


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