説明: IRS2110SPBFは、インフィニオンテクノロジーズの高電圧、高速パワーMOSFETおよびIGBTドライバです。 ハーフブリッジまたはフルブリッジ構成でハイサイドとローサイドの両方のスイッチを駆動できるため、モータドライブ、インバータ、電源などのアプリケーションに適…
説明: IRS2110SPBFは、インフィニオンテクノロジーズの高電圧、高速パワーMOSFETおよびIGBTドライバです。 ハーフブリッジまたはフルブリッジ構成でハイサイドとローサイドの両方のスイッチを駆動できるため、モータドライブ、インバータ、電源などのアプリケーションに適しています。
主な特長: IRS2110SPBF
高電圧動作
最大600Vの高電圧側電圧に耐えるため、大電力アプリケーションに適しています。
高速スイッチング：
伝搬遅延が120 nsという高速スイッチング・アプリケーション向けに設計されています。
ブートストラップダイオードを内蔵：
ハイサイド・ゲート駆動用のブートストラップ・ダイオードを内蔵しており、回路設計を簡素化し、部品点数を削減します。
出力電流能力：
2Aのピーク電流を出力/吸収し、大型MOSFETやIGBTを効率的に駆動します。
低電圧ロックアウト（UVLO）：
電源電圧が低すぎる場合に出力を無効にすることで、低電圧状態を防ぎます。
互換性：
3.3V、5V、15Vのロジック入力に対応し、さまざまなマイクロコントローラや制御ICで使用可能。
パッケージ
コンパクトな16ピンSOICパッケージで、高密度PCB設計に最適です。
代表的アプリケーション： IRS2110SPBF
BLDC、PMSM、AC誘導モータなどのモータドライバ
スイッチング電源 (SMPS)
無停電電源装置(UPS)
ソーラー・インバータ
ハーフブリッジおよびフルブリッジ・インバータ
クラスDオーディオ・アンプ
利点
ブリッジ構成のHV側およびLV側ドライブを簡素化。
保護機能を内蔵した堅牢な設計
ノイズ環境で信頼性の高い動作を実現する高いノイズ耐性。
サプライヤー: 深圳市明佳達電子有限会社
連絡先：
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