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真新しいオリジナル【EV1320QI】2Aソース/シンクDDRメモリターミナルコンバータ

真新しいオリジナル【EV1320QI】2Aソース/シンクDDRメモリターミナルコンバータ

ソース:このサイト時間:2025-01-22ブラウズ数:

概説しますEV1320QIはdc-dcコンバータで、メモリ端末アプリケーション向けに設計されています。96%の高効率を実現しながら、リニアエンドデバイスと同様のソリューションサイズを提供します。VDDQレールで直接電力を供給できるように設計されています。外部周波数器や基準…

概説します

EV1320QIはdc-dcコンバータで、メモリ端末アプリケーション向けに設計されています。96%の高効率を実現しながら、リニアエンドデバイスと同様のソリューションサイズを提供します。

EV1320QI.jpg

VDDQレールで直接電力を供給できるように設計されています。外部周波数器や基準電圧源は必要ありません。EV1320QIは非常に安定した出力電圧(VTT)を提供し、2Aまでの連続出力電流を吸収しながらVDDQを追跡します。8Aまでの電流を供給するために、最大4つのEV1320QIデバイスを並列することができます。出力放電を備えたイネーブルピンはS3(RAMマウント)状態で使用可能です。


EV1320QIは、現在および将来の高性能、DDR2、DDR3、および低消費電力DDR4 JEDEC VTTの正確な電圧、高速な瞬間変化の要件を満たすように設計されています。高度な回路技術と高いスイッチング周波数は、高品質、コンパクト、非分離dc-dc変換を提供します。


基本パラメータです

応用:コンバータ、DDRです。

電圧-入力:0.95V ~ 1.8V, 3V ~ 3.465Vです

出力数:1です。

電圧-出力:0.5V ~ 0.9Vです。

働作温度:-40℃~ 85℃です。

装着タイプ:表面装着タイプです。

パッケージ:16-QFN (3x3)です。

基本品番:EV1320です。


応用シーンです

EV1320QIは、DDR2、DDR3、低消費電力DDR4、QDRメモリのVTTバス端子に適しています。


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