深圳市明佳達電子有限会社は、車載アプリケーションのAEC-Q101規格に準拠したインフィニオン・パワートランジスタIPB120N10S4-05 Nチャンネル車載MOSFETの新しいオリジナル供給を発表いたします。供給モデル：IPB120N10S4-05年: 新しい 23+パッケージ：TO-263製品属性メー…
深圳市明佳達電子有限会社は、車載アプリケーションのAEC-Q101規格に準拠したインフィニオン・パワートランジスタIPB120N10S4-05 Nチャンネル車載MOSFETの新しいオリジナル供給を発表いたします。
供給モデル：IPB120N10S4-05
年: 新しい 23+
パッケージ：TO-263
製品属性
メーカー：インフィニオン
製品カテゴリ： MOSFET
技術： Si
実装スタイル： SMD/SMT
パッケージ/ケース： TO-263-3
トランジスタ極性： Nチャンネル
チャンネル数： 1チャンネル
Vds-ドレイン-ソース降伏電圧： 100 V
Id-連続ドレイン電流： 120 A
Rds-ドレインオン抵抗：5 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧： - 20 V, + 20 V
Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧：2.7 V
Qg - ゲート電荷量： 91 nC
最低動作温度： - 55
最大動作温度： + 175 C
Pd-電力損失：190 W
チャネル・モード：エンハンスメント
認定： AEC-Q101
コンフィギュレーション：シングル
ダウンタイム： 35 ns
高さ： 4.4 mm
長さ: 10 mm
立ち上がり時間：10 ns
トランジスタタイプ: 1 Nチャンネル
典型的なターンオフ遅延時間：30 ns
標準ターンオン遅延時間：15 ns
幅： 9.25 mm
単位重量：4 g
このMOSFETは、燃料噴射システム、車載ワイヤレス充電アプリケーション、およびボードネットとして知られるC02低減48V電源サブシステムでの使用に最適です。
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