1月21日、韓国メディアETNewsは、サムスン電子が12nm DRAMメモリ製品が直面する歩留まりと性能の二重苦に対処するため、既存の1b nmプロセスを改良しつつ、2024年末にゼロから新バージョンの1b nm DRAMを設計することを決定したと報じた。D1B-P（注：PはPrimeの略）と名付…
1月21日、韓国メディアETNewsは、サムスン電子が12nm DRAMメモリ製品が直面する歩留まりと性能の二重苦に対処するため、既存の1b nmプロセスを改良しつつ、2024年末にゼロから新バージョンの1b nm DRAMを設計することを決定したと報じた。
D1B-P（注：PはPrimeの略）と名付けられた新しい12nm DRAMプロセス・プロジェクトは、エネルギー効率と放熱性能の改善に重点を置いており、これはサムスンの従来の第6世代V-NAND改良プロセスであるV6Pと同じ命名論理である。
▲ サムスン電子、既存の12nmグレードプロセスによる32Gb DDR5
サムスンは2022年12月と2023年5月に12nm級DDR5 DRAMの開発と量産完了を発表したが、この世代のプロセスはLPDDR5xなどの主要分野で成功しておらず、サムスンのDS部門はMX部門の携帯電話Galaxy S25シリーズの初期メモリサプライヤーの地位を失ったほどである。
加えて、D1B-Pプロジェクトの立ち上げが決定された時点で、既存の12nm DRAMプロセスの歩留まりは約60%に過ぎず、業界で量産に必要とされる80%～90%を大きく下回っていた。
同報道によると、サムスン電子は2024年末にD1B-Pプロジェクトに必要な設備を発注し、同プロセスの量産開始は2025年、最短で今年の第2四半期から第3四半期となる見込み。
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