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トランジスタ_IPT60R035CFD7_600V CoolMOS™ CFD7パワートランジスタ

トランジスタ_IPT60R035CFD7_600V CoolMOS™ CFD7パワートランジスタ

ソース:このサイト時間:2025-01-20ブラウズ数:

深圳市明佳達電子有限会社の新しく、元のInfineonのトランジスター_IPT60R035CFD7_600V CoolMOS™のCFD7のパワートランジスターIGBT TRENCH 650V 90A TO247-3インフィニオンの共振高出力トポロジーへの回答600V CoolMOS™ CFD7は、インフィニオンの新しい高電圧スーパージ…

深圳市明佳達電子有限会社の新しく、元のInfineonのトランジスター_IPT60R035CFD7_600V CoolMOS™のCFD7のパワートランジスターIGBT TRENCH 650V 90A TO247-3


インフィニオンの共振高出力トポロジーへの回答

600V CoolMOS™ CFD7は、インフィニオンの新しい高電圧スーパージャンクションMOSFET技術で、高速ボディダイオードを内蔵し、CoolMOS™ 7ファミリーを完成させました。CoolMOS™ CFD7は、ゲート電荷(Qg)が低く、ターンオフ性能が優れています。 さらに、逆回復電荷(Qrr)は、市場の競合製品よりも69%低い。 さらに、逆回復時間(trr)は市場で最も短いものの1つです。


特徴

-超高速ボディ・ダイオード

-低しきい値充電

-クラス最高の逆回復充電(Qrr)

-改良型MOSFET逆方向ダイオード

-最小のRDS(On)*QgおよびRDS(On)*Eoss

-SMDおよびTHDパッケージでクラス最高のRDS(on)


利点

優れた高負荷動作

-共振トポロジーにおける最高の信頼性

使用量と性能のトレードオフが少ない最高効率

-電力密度を高めるソリューションをサポート


潜在的アプリケーション

ソフトスイッチ・トポロジーに最適

位相シフトフルブリッジ(ZVS)、LLCアプリケーションに最適化 - サーバー、電気通信、EVC充電、電気通信、EVC充電


製品仕様

製品カテゴリー:MOSFET  

テクノロジー:Si

実装スタイル: SMD/SMT

パッケージ/ケース:HSOF-8

トランジスタ極性: Nチャンネル

チャネル数: 1チャネル

Vds-ドレイン・ソース降伏電圧: 650 V

Id-連続ドレイン電流:67 A

Rds-ドレインオン抵抗:35 mOhms

Vgs -ゲート-ソース間電圧: - 20 V, + 20 V

Vgs th-ゲート・ソース間スレッショルド電圧:4 V

Qg-ゲート電荷: 109 nC

最低動作温度: - 55

最大動作温度:+ 150

Pd-電力損失:351 W

チャネルモード:エンハンスト

IPT60R035CFD7.jpg

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