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Infineon(IRFH5215TRPBF)150VシングルNチャネルStrongIRFET™パワーMOSFET

Infineon(IRFH5215TRPBF)150VシングルNチャネルStrongIRFET™パワーMOSFET

ソース:このサイト時間:2025-01-18ブラウズ数:

製品説明ですIRFH5215TRPBFはインフィニオン製のMOSFETデバイスで、PQFN 5x6パッケージのNチャネルパワーMOSFETです。インフィニオンのStrongIRFET™パワーMOSFETシリーズは、低RDS (on)と高電流に最適化されています。これらのデバイスは、高性能と耐久性が求められる低…

製品説明です

IRFH5215TRPBFはインフィニオン製のMOSFETデバイスで、PQFN 5x6パッケージのNチャネルパワーMOSFETです。インフィニオンのStrongIRFET™パワーMOSFETシリーズは、低RDS (on)と高電流に最適化されています。これらのデバイスは、高性能と耐久性が求められる低周波アプリケーションに適しています。包括的な製品ポートフォリオは、直流モータ、バッテリーマネジメントシステム、インバータ、dc-dcコンバータなどの幅広い用途に適しています。


製品仕様

FETタイプ:Nチャネルです

技術:MOSFET(金属酸化物)です

ドレインソース電圧(Vdss): 150 Vです

25°C時電流-連続ドレイン(Id): 5A (Ta), 27A (Tc)

駆動電圧(最大Rds On、最小Rds On): 10Vです。

異なるId、Vgs時オン抵抗(最大値):58ミリオ@ 16A, 10Vです。

Idが異なる場合Vgs(th)(最大値):5V @ 100µAです。

異なるVgs時ゲート電荷(Qg)(最大値):32 nC @ 10 Vです。

Vgs(最大値):±20Vです

異なるVds時入力容量(Ciss)(最大値):1350 pF @ 50 Vです。

FET機能:-です

消費電力分散(最大値):3.6W (Ta), 104W (Tc)です。

動作温度:-55℃~ 150℃(TJ)です。

装着タイプ:表面装着タイプです。

ベンダーパッケージ:PQFN (5x6)です。

パッケージ/ケース:8-VQFN裸パッドです。

基本品番はIRFH5215です


応用分野です

IRFH5215TRPBFデバイスは、以下を含みますがこれらに限定されません。

电机が直流‌:その低導通抵抗と高电流の能力を効率的に適用されるのが直流電気駆動。

强い电池管理システム:‌電池統制、安定の出力電流を提供している。

インバータ‌:インバータで効率のスイッチ機能を提供する。

dc-dcコンバータ‌は,電源管理システムの効率を実現の电圧の転換。

IRFH5215TRPBF.jpg

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