ipb100n04s4—h2素子は1項は(インフィニオン)生産のoptimos t2 power - transistor、出力場効果トランジスタ(mosfet)に属する。同素子穏健のリニア仕事モードと低いrds (on)、仕事ができる期間に損失を最小化し、同時に提供幅安全職場(soa)、確保は高い浪が電気流しは荷…
ipb100n04s4—h2素子は1項は(インフィニオン)生産のoptimos t2 power - transistor、出力場効果トランジスタ(mosfet)に属する。同素子穏健のリニア仕事モードと低いrds (on)、仕事ができる期間に損失を最小化し、同時に提供幅安全職場(soa)、確保は高い浪が電気流しは荷重に損害も及ぼさない。
特徴記述です
Nチャネルエンハンスメントモードです
AEC認証です
MSL1ピークリフロー温度は260°Cまで上がりました
動作温度は175度です
環境にやさしい製品(RoHS準拠)です。
100%雪崩のテストを経
優勢です
40VでRDS (on)は世界で最も低い値です
非常に高い衝撃電流能力です
スイッチの消費電力と伝導損失が非常に低く熱効率が高いのです
強固なパッケージ,優れた品質,高い信頼性です
ゲート電荷総量を最適化し、ドライバー出力段の小型化を実現しました。
応用可能性があります
optimos-t2 40Vは各種EPSモータ制御、三相とHブリッジモータ、HVACファン制御、電働ポンプなどに適し、特にPWM制御と組み合わせて使用します。
optimos-t2 40V製品は、インフィニオンの先進的な溝ゲート技術に基づいて、次世代の高エネルギー効率、低CO2排出、電気駆動車アプリケーションのベンチマークとなります。
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