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IPB042N10N3Gデバイスは、100VのOptiMOS™パワーMOSFETです。

IPB042N10N3Gデバイスは、100VのOptiMOS™パワーMOSFETです。

ソース:このサイト時間:2025-01-15ブラウズ数:

概説しますIPB042N10N3Gデバイスは、INFINEONが発表した100V OptiMOS™パワーMOSFETで、高効率で高パワー密度のSMPSに優れたソリューションを提供します。次世代の優れた技術と比較して、RDs (on)とFOM(品質ファクタ)をそれぞれ30%削減しました。特徴記述です優れたスイッ…

概説します

IPB042N10N3Gデバイスは、INFINEONが発表した100V OptiMOS™パワーMOSFETで、高効率で高パワー密度のSMPSに優れたソリューションを提供します。次世代の優れた技術と比較して、RDs (on)とFOM(品質ファクタ)をそれぞれ30%削減しました。


特徴記述です

優れたスイッチング性能です

世界で低いです(R Ds(on))

非常に低いQgとQgdです

優れたゲート電荷x R DS (on)製品(FOM)です

RoHS規格準拠無ハロゲンです

MSL1格付け2です


優勢です

環境保護です

能率を高めます

非常に高い電力密度です

並列を減らします

板の空間消費は極めて低いのです

デザインしやすい製品です


応用可能性があります

ac-dc SMPSのシンクロ整流です

48 v-80vシステムのモーター制御(家庭用車両、電動工具、トラックなどです)

分離式dc-dcコンバータ(電気通信及びデータ通信システム)です。

48Vシステムのスイッチとブレーカーです

クラスDオーディオアンプです

無停電電源(UPS)です

IPB042N10N3G.jpg

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