CY15B128Q-SXET 128Kb（16K×8）自動車-Eシリーズ（SPI）F-RAM

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CY15B128Q-SXET 128Kb（16K×8）自動車-Eシリーズ（SPI）F-RAM

ソース:このサイト時間:2025-01-14ブラウズ数:

製品説明です:cy15b128q-sxetは128 Kbの不揮発性メモリで、高度な強誘電体プロセスを採用しています。F−RAMは不揮発性なので、読み出しと書き込みの働作はRAMと似ています。121年間の信頼性の高いデータリザーブを提供しながら、シリアルフラッシュ、EEPROM、その他の不…

製品説明です:

cy15b128q-sxetは128 Kbの不揮発性メモリで、高度な強誘電体プロセスを採用しています。F−RAMは不揮発性なので、読み出しと書き込みの働作はRAMと似ています。121年間の信頼性の高いデータリザーブを提供しながら、シリアルフラッシュ、EEPROM、その他の不揮発性メモリによる複雑性、オーバーヘッド、システムレベルの信頼性の問題を解消します。

cy15b128q-sxetは、シリアルフラッシュやEEPROMとは異なり、バス速度で書き込みを実行します。書き込み遅延は発生しません。各バイトがデバイスへの転送に成功すると、データはすぐにメモリ配列に書き込まれます。次のバスサイクルは、データポーリングなしで開始できます。また、他の不揮発性メモリに比べて書き込みの耐久性に優れています。CY15B128Qは、EEPROMの1000万倍の読み出し/書き込み期間である1013サイクルに対応しています。

これらの機能により、cy15b128q-sxetは頻繁な書き込みや高速な書き込みを必要とする不揮発性メモリアプリケーションに適しています。例としては、データレコード(書き込みサイクル数が重要な場合があります)や、要求の厳しい産業制御(シリアルフラッシュメモリやEEPROMの場合、書き込み時間が長いとデータが失われる可能性があります)などがあります。

スペックです:

メモリタイプ:不揮発性です

メモリフォーマットはFRAMです。

技術:FRAM(強誘電体RAM)です

記憶容量:128Kbです。

メモリ組織16K x 8です

SPIインタフェースです

クロック周波数は33 MHzです

書くサイクル時間-字,ページ:-です

アクセス時間:9 nsです

電圧-給電:2.7V ~ 3.6Vです。

動作温度は-40℃~ 125℃です。