深圳市明佳達電子有限会社は、SuperSO8パッケージのインフィニオン[MOSFETトランジスタ] BSC010N04LST OptiMOS™ 5 パワーMOSFETを販売しています。BSC010N04LSTデバイス説明：BSC010N04LSTは、TDSON-8-EP（5.1x5.9）パッケージの高性能NチャネルMOSFETです。 このチップ…
深圳市明佳達電子有限会社は、SuperSO8パッケージのインフィニオン[MOSFETトランジスタ] BSC010N04LST OptiMOS™ 5 パワーMOSFETを販売しています。
BSC010N04LSTデバイス説明：
BSC010N04LSTは、TDSON-8-EP（5.1x5.9）パッケージの高性能NチャネルMOSFETです。 このチップは、高耐圧、大電流、低オン抵抗を特長とし、さまざまな高電力密度アプリケーション・シナリオに適しています。
BSC010N04LST 主な特長
ドレイン・ソース間電圧（Vdss）：40V
連続ドレイン電流（Id）：100A
オン抵抗（RDS(on)）：1mΩ @ 10V、50A
電力損失（Pd）：167W
スレッショルド電圧（Vgs(th)）： 1.2V @ 250uA
ゲート・チャージ（Qg）：95nC
入力キャパシタンス（Ciss@Vds）： 9.52nF @ 20V
逆方向転送容量（Crss）：320pF @ 20V
動作温度： -55°C ~ +175°C
パッケージ：TDSON-8-EP（5.1x5.9）
BSC010N04LST MOSFETトランジスタは、以下のアプリケーションに適しています：
電源管理
モータドライブ
インバータ
バッテリ管理システム
産業オートメーション
カーエレクトロニクス
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