Infineon Technologiesは、IGBT、SiC、GaNのゲートドライブに適したEiceDRIVER™Power 2EP1xxRのオールブリッジトランスドライブシリーズを発表しました。2EP1xxRシリーズは、infinonパワーデバイスのラインナップを拡大し、設計者にアイソレーションゲートドライバパワー…
Infineon Technologiesは、IGBT、SiC、GaNのゲートドライブに適したEiceDRIVER™Power 2EP1xxRのオールブリッジトランスドライブシリーズを発表しました。2EP1xxRシリーズは、infinonパワーデバイスのラインナップを拡大し、設計者にアイソレーションゲートドライバパワーソリューションを提供します。
この半導体デバイスは非対称出力電圧を実現し、経済的かつ省スペースな方法でアイソレーションゲートドライバに電力を供給することができます。そのため、2EP1xxRは特に、太陽エネルギーアプリケーション、電気自働車の充電、エネルギー貯蔵システム、溶接、無停電電源、ドライブアプリケーションなどを含む、分離ゲートドライブを必要とする産業および消費者向けアプリケーションに適しています。
2EP1xxRシリーズは,電力統合技術と多数の最適化機能を備えたコンパクトなTSSOP8ピン・パッケージを採用し,非対称な出力電圧を生成します。独自のデューティサイクル調整機能により、非対称式ゲートドライブ電源に最適化しました。これらのデバイスは最大20 Vの広い入力電圧範囲をサポートし、予期せぬシステム障害を防ぐために温度、短絡、低電圧ロック(UVLO)保護が組み込まれています。
2EP1xxRシリーズは4種類の製品モデルを提供しています。2EP100Rと2EP101RはIGBTとSiC MOSFETゲートドライブ電源の低要素設計に最適化されています。2EP110Rは出力電圧比がSiCおよびGaNパワースイッチのアプリケーション要件に合致するようにデューティサイクルの微調整を可能にします。2EP130Rは、さまざまなアプリケーション要件に対応するため、柔軟性の高い設計に最適化されています。
5段階の過電流保護だけでなく、41種類のスイッチング周波数オプションまたは外部PWM同期機能によるトランスマッチング、41種類のデューティサイクルオプションによる出力電圧調整が可能です。多くの情報を訪問して、https://www.infineon.com/cms/en/product/power/gate-driver-ics/transformer-driver-ics/
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