INFINEON IPDD60R050G7 600V NチャンネルパワーMOSFETトランジスタIPDD60R050G7の製品概要IPDD60R050G7 600 V CoolMOS™ G7 superjunction (SJ) MOSFETは、トップサイド冷却の革新的なコンセプトと組み合わされ、PFCなどの大電流ハードスイッチングトポロジ用のシステムソ…
INFINEON IPDD60R050G7 600V NチャンネルパワーMOSFETトランジスタ
IPDD60R050G7の製品概要
IPDD60R050G7 600 V CoolMOS™ G7 superjunction (SJ) MOSFETは、トップサイド冷却の革新的なコンセプトと組み合わされ、PFCなどの大電流ハードスイッチングトポロジ用のシステムソリューションとLLCトポロジ用のハイエンド効率ソリューションを提供します。
IPDD60R050G7の仕様
トランジスタ極性：Nチャンネル
チャネル数：1チャネル
Vds - ドレイン-ソース降伏電圧：600 V
Id - 連続ドレイン電流：47 A
Rds On - ドレイン-ソース間抵抗：50 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:- 20 V, + 20 V
Vgs th - ゲート・ソース・スレッショルド電圧：3 V
Qg - ゲート電荷:68 nC
最低動作温度：- 55
最大動作温度:+ 150 C
Pd - 許容損失:278 W
チャネルモード：エンハンスメント
コンフィギュレーション:シングル
立ち下がり時間:3 ns
製品タイプ:MOSFET
立ち上がり時間:6 ns
典型的なターンオフ遅延時間:72 ns
典型的なターンオン遅延時間:22 ns
単位重量：763.560 mg
IPDD60R050G7の特長
クラス最高のFOM RDS(on) x EossおよびRDS(on) x Qgを実現
革新的なトップサイド冷却コンセプト
第4ピンのケルビン・ソース構成と低寄生ソース・インダクタンスを内蔵
2,000サイクル以上のTCOB能力、MSL1準拠、完全鉛フリー
IPDD60R050G7の利点
最高のエネルギー効率を実現
基板と半導体の熱デカップリングにより、熱PCB限界を克服
寄生ソース・インダクタンスの低減により、効率と使いやすさが向上
より高い電力密度のソリューションが可能
最高の品質基準を上回る
IPDD60R050G7のアプリケーション
テレコム
サーバー
ソーラー
PC電源
SMPS
1相ストリング・インバータ・ソリューション
48 V配電
DINレール電源
水素電解
通信インフラ
連絡先電話：86-755-83294757
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