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OptiMOS™ 5 パワートランジスタ、80V BSC026N08NS5 NチャンネルパワーMOSFET

OptiMOS™ 5 パワートランジスタ、80V BSC026N08NS5 NチャンネルパワーMOSFET

ソース:このサイト時間:2025-01-07ブラウズ数:

深圳市明佳達電子有限会社新しく、元の Infineon OptiMOS™ 5 の電源トランジスター、80V BSC026N08NS5 N チャネル力 MOSFET 23A/100A TDSON-8説明BSC026N08NS5は、電気通信およびサーバー電源の同期整流用に設計されたOptiMOS™ 5 80VパワーMOSFETです。OptiMOS™ 5 80V

深圳市明佳達電子有限会社新しく、元の Infineon OptiMOS™ 5 の電源トランジスター、80V BSC026N08NS5 N チャネル力 MOSFET 23A/100A TDSON-8


説明

BSC026N08NS5は、電気通信およびサーバー電源の同期整流用に設計されたOptiMOS™ 5 80VパワーMOSFETです。OptiMOS™ 5 80VパワーMOSFETは、電気通信およびサーバー電源の同期整流用に設計されています。 OptiMOS™ 5 80 V MOSFETは7種類のパッケージで提供され、業界で最も低いRDS(on)を特長としています。 さらに、OptiMOS™ 5 80 Vは、従来品よりもRDS(on)が43%低くなっています。

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潜在的アプリケーション

電気通信

サーバー

ソーラー

低電圧ドライブ

アダプター


BSC026N08NS5 製品属性:

メーカー: Infineon

製品カテゴリ: MOSFET

技術:Si

実装スタイル: SMD/SMT

パッケージ/ケース: TDSON-8

トランジスタ極性: Nチャンネル

チャンネル数: 1チャンネル

Vds-ドレイン・ソース降伏電圧: 80 V

Id-連続ドレイン電流:100 A

Rds-ドレインオン抵抗:3.9 mOhms

Vgs -ゲート・ソース間電圧:- 20 V, + 20 V

Vgs th - ゲート・ソース間しきい値電圧:2.2 V

Qg - ゲート電荷量: 74 nC

最低動作温度: - 55

最大動作温度:+ 150

Pd-消費電力:156 W

チャネル・モード: エンハンスメント

商品名: OptiMOS

構成: Single

フォールオフ時間: 16 ns

順方向トランスコンダクタンス - min: 60 S

高さ: 1.27 mm

長さ: 5.9 mm

立ち上がり時間: 14 ns

シリーズ: OptiMOS 5

トランジスタタイプ: 1 Nチャンネル

標準ターンオフ遅延時間:47 ns

標準ターンオン遅延時間:18 ns

幅:5.15 mm

BSC026N08NS5.jpg

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