メモリ S29GL032N90TFI030 NORフラッシュ 3V 32Mb パラレル 90ns 48-TSOP

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メモリ S29GL032N90TFI030 NORフラッシュ 3V 32Mb パラレル 90ns 48-TSOP

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深圳市明佳達電子有限会社供給 Infineon の記憶 S29GL032N90TFI030 NOR のフラッシュ 3V 32Mb の平行 90 ns 48-TSOP の真新しく、元の、品質保証、尋ねる歓迎！製品の説明S29GL032N90TFI030デバイスは、110nmのMirrorBit技術を使用して製造された3.0V単一電源フラッシュメ…

深圳市明佳達電子有限会社供給 Infineon の記憶 S29GL032N90TFI030 NOR のフラッシュ 3V 32Mb の平行 90 ns 48-TSOP の真新しく、元の、品質保証、尋ねる歓迎！

製品の説明

S29GL032N90TFI030デバイスは、110nmのMirrorBit技術を使用して製造された3.0V単一電源フラッシュメモリです。S29GL032N90TFI030は、2,097,152ワードまたは4,194,304バイトで構成される32MBデバイスです。モデルによって、これらのデバイスは16ビット幅のデータ・バスのみ、またはBYTE#入力を使用して8ビット幅のデータ・バスとしても使用できる16ビット幅のデータ・バスを備えています。このデバイスは、ホスト・システムまたは標準的なEPROMプログラマからプログラムできます。

製品の利点

単一電源動作

110nm MirrorBitプロセス技術で製造

セキュアなシリコン・セクター

8バイト/16バイトのランダムな電子シリアル番号で恒久的かつ安全に識別される128バイト/256バイト・セクター。

工場または顧客によるプログラムおよびロック

柔軟なセクター構造

32MB（ユニファイド・セクター・モデル）：64個の32Kワード（64KB）セクター

32 Mb（ブート・セクタ・モデル）：63 32Kワード（64 KB）セクタ＋8 4Kワード（8 KB）ブート・セクタ

拡張VersatileI/O™コントロール

すべての入力レベル（アドレス、制御、DQ入力レベル）と出力は、1.65～VCCのVIO入力電圧によって決定されます。

JEDEC規格との互換性