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IGBTディスクリート_IKW50N65WR5_モノリシックボディダイオード付き逆導通IGBT

IGBTディスクリート_IKW50N65WR5_モノリシックボディダイオード付き逆導通IGBT

ソース:このサイト時間:2024-12-23ブラウズ数:

深圳市明佳達電子有限会社の元の本物の Infineon IGBTディスクリート_IKW50N65WR5_モノリシック ダイオード、650 V、TO-247 パッケージの 50 A IGBT が付いている逆の伝導 IGBT特長- VCE = 650 V- IC = 50 A- ZCSアプリケーションに最適化された強力なモノリシック・ダイ…

深圳市明佳達電子有限会社の元の本物の Infineon IGBTディスクリート_IKW50N65WR5_モノリシック ダイオード、650 V、TO-247 パッケージの 50 A IGBT が付いている逆の伝導 IGBT


特長

- VCE = 650 V

- IC = 50 A

- ZCSアプリケーションに最適化された強力なモノリシック・ダイオード

- 堅牢で温度安定性

- 非常に低いVCEsatと低いEoff

- 並列接続が容易な正の温度係数を持つVCEsat

- 低EMI

- 低い(温度依存性)電気パラメータ

- ターゲット・アプリケーション向けJESD-022準拠

- 鉛フリーめっき、RoHS対応


利点

- 最高の価格性能比

- メインストリーム設計に最適 20kHz < fsw < 60kHz

- 優れた放熱性能により、ヒートシンクと冷却コストを削減


優れた放熱性能により、ヒートシンクと冷却コストを削減

- はんだ付け

- PFC

- ZCS - コンバータ


モデル: IKW50N65WR5 ブランド: INFINEON 年式: 24+ パッケージ: TO-247-3 タイプ: IGBTトランジスタ

IKW50N65WR5.jpg

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