深圳市明佳達電子有限会社の新しい元の Infineon IGBT モジュール_FZ1000R65KE4P2_トレンチ/フィールド切断 IGBT4 およびエミッターによって制御される 4 ダイオードが付いている高い絶縁材モジュールデバイス概要FZ1000R65KE4P2 6500V、1000A、190mmシングルスイッチIGB…
深圳市明佳達電子有限会社の新しい元の Infineon IGBT モジュール_FZ1000R65KE4P2_トレンチ/フィールド切断 IGBT4 およびエミッターによって制御される 4 ダイオードが付いている高い絶縁材モジュール
デバイス概要
FZ1000R65KE4P2 6500V、1000A、190mmシングルスイッチIGBTモジュール、IGBT4トレンチ・フィールド・ストップ技術搭載 - HVDC-VSC、トラクションおよび産業用アプリケーションに最適なソリューションです。
電気特性
- Vces = 6500 V
- IC定格 = 1000 A / ICRM = 2000 A
- 低いVCE飽和
機械的特性
- Tstg = -55 °C までの長期保存温度
- 10.4 kV AC 60秒強化絶縁パッケージ
- 高い沿面距離とクリアランス
- CTI > 600のパッケージ
- 熱サイクル能力を強化するAlSiCバックプレーン
想定される用途
中電圧コンバータ
トラクション
送電および配電
製品属性
製品カテゴリー: IGBTモジュール
製品: 高絶縁モジュール
構成: Single
最大コレクタ・エミッタ間電圧VCEO: 6.5 kV
コレクタ・エミッタ飽和電圧：3.25 V
連続コレクタ電流（25℃）：1 kA
ゲート・エミッタ間ドレイン電流：400 nA
Pd-電力損失：3.6 MW
パッケージ/ケース： 190 mm x 140 mm x 48 mm
最低動作温度： - 50
最大動作温度： + 135 C
最大ゲート/エミッタ電圧： 20 V
湿度感度： あり
マウントスタイル：ネジマウント
詳細については、陳氏までお問い合わせください：
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会社ホームページ：http://www.hkmjd.com/
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