深圳市明佳達電子有限会社ROM SiC MOSFET SCT4062KW7HRTL 面実装タイプ Nチャンネル 1200V 24A (Tc) 93W TO-263-7L の供給と取得についてロームの第4世代SiC MOSFETSCT4シリーズは、短絡耐量を向上させ、業界最高レベルの超低オン抵抗を実現した第4世代です。 従来品に比…
深圳市明佳達電子有限会社ROM SiC MOSFET SCT4062KW7HRTL 面実装タイプ Nチャンネル 1200V 24A (Tc) 93W TO-263-7L の供給と取得について
ロームの第4世代SiC MOSFET
SCT4シリーズは、短絡耐量を向上させ、業界最高レベルの超低オン抵抗を実現した第4世代です。 従来品に比べ、オン抵抗を約40％、スイッチング損失を約50％低減しました。 また、より扱いやすい15Vのゲート・ソース間電圧に対応し、アプリケーションに合わせた製品設計が容易になりました。
製品の説明
SCT4062KW7HRTLは、トレンチ構造の採用により低オン抵抗を実現した1200V、24A NchのSiCパワーMOSFETで、AEC-Q101規格に準拠した高信頼性の車載グレード製品です。
製品の特長
AEC-Q101規格準拠
低オン抵抗
高速スイッチング
高速逆回復
並列接続が容易 駆動が容易
鉛フリーめっき、RoHS対応
製品属性
FETタイプ：Nチャンネル
技術：SiCFET（炭化ケイ素）
ドレイン・ソース電圧（Vdss）：1200 V
25℃における連続ドレイン電流（Id）：24 A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V
異なるId、Vgsに対するオン抵抗（最大）： 81ミリオーム@12A、18V
異なるIdでのVgs（th）（最大）：4.8V @ 6.45mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) (Vgs違い): 64 nC @ 18 V
Vgs（最大）：+21V、-4V
入力容量（Ciss）（最大Vds時）： 1498 pF @ 800 V
FETファンクション: -
許容損失（最大）： 93W
動作温度： 175°C (TJ)
実装タイプ： 表面実装タイプ
サプライヤーデバイスパッケージ： TO-263-7L
パッケージ/ケース：TO-263-8、D²Pak（7リード+タブ）、TO-263CA
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