製品の詳細です:CY14E256LAは高速静的なRAMで、各メモリユニットに不揮発性の要素が1つずつ入っています。メモリ組織は32kbです。組み込まれた不揮発性デバイスとQuantumTrap技術を組み合わせ、世界で最も信頼性の高い不揮発性メモリを生み出しました。SRAMは無限の読み書…
製品の詳細です:
CY14E256LAは高速静的なRAMで、各メモリユニットに不揮発性の要素が1つずつ入っています。メモリ組織は32kbです。組み込まれた不揮発性デバイスとQuantumTrap技術を組み合わせ、世界で最も信頼性の高い不揮発性メモリを生み出しました。SRAMは無限の読み書きサイクルを提供し、独立した不揮発性データは高い信頼性のQuantumTrapユニットに格納されます。SRAMから不揮発性部品へのデータ転送(STORE働作)は電源オフ時に自働的に行われます。電源を入れると、不揮発性メモリからSRAM (RECALL動作)に戻ります。保存とリコール操作もソフトウェア制御で使用できます。
特性です:
•25nsと45nsのアクセス時間です
・内部組織は32k × 8 (CY14E256LA)です
・シャットダウンすると小さな容量しかありません
・QuantumTrapの不揮発性の要素を保存して、ソフトウェア、デバイスピンで起働したり、電源オフに自働的に保存します。
・ソフトウェアまたは電源オンで起動するSRAMのリコールです
・無限の読み書き・コールバックのサイクルです
・100万個のストレージサイクルをQuantumTrapにします。
・データは20年保持します
・1回5v + 10%の動作です
・工業温度です
32ニードルSOICパッケージです
・鉛フリーや有害物質規制(RoHS)適合です
cy14e256la-sz45xiの技術スペックです。
メモリタイプ:不揮発性です
メモリフォーマット:NVSRAMです。
技術:NVSRAM(不揮発性SRAM)です。
記憶容量は256Kbです
メモリ組織32K x 8です
インターフェースは並列です
書きます-字,ページ:45ns
アクセス時間:45 nsです
電圧-給電:4.5V ~ 5.5Vです。
動作温度は-40℃~ 85℃です。
装着タイプ:表面装着タイプです。
パッケージ/ケース:32-SOIC (0.295", 7.50mm幅)です。
サプライズデバイス実装:32-SOICです
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