深圳市明佳達電子有限会社(供给) (リサイクル) ロームトランジスタ SCT3080ARHRC15_SCT3080KRHRC15 NチャンネルSiCパワーMOSFETロームセミコンダクタのNチャネルSiC（炭化ケイ素）パワーMOSFETは、スイッチング時にテール電流が発生しないため、高速動作と低スイッチング…
深圳市明佳達電子有限会社(供给) (リサイクル) ロームトランジスタ SCT3080ARHRC15_SCT3080KRHRC15 NチャンネルSiCパワーMOSFET
ロームセミコンダクタのNチャネルSiC（炭化ケイ素）パワーMOSFETは、スイッチング時にテール電流が発生しないため、高速動作と低スイッチング損失を実現します。 低オン抵抗と小型チップサイズにより、低容量と低ゲートチャージを実現しています。 このロームSiCパワーMOSFETは、オン抵抗の増加はごくわずかで、パッケージの小型化がさらに進んでいます。 温度が上昇するとオン抵抗が2倍以上になる標準的なシリコン・デバイスと比較して、優れた省エネ効果を発揮します。
SCT3080ARHRC15_SCT3080KRHRC15の製品特性
FETタイプ：Nチャンネル
技術：MOSFET（金属酸化物）
ドレイン・ソース電圧（Vdss）：650 V
25℃における連続ドレイン電流（Id）： 30 A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：18V
異なるId、Vgsに対するオン抵抗（最大）： 104ミリオーム@10A、18V
異なるIdでのVgs（th）（最大）：5.6V @ 5mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) (Vgs違い): 48 nC @ 18 V
Vgs（最大）：+22V、-4V
入力キャパシタンス（Ciss）（最大Vds時）： 571 pF @ 500 V
FETファンクション: -
許容損失（最大）： 134W
動作温度： 175°C (TJ)
実装タイプ： スルーホール
サプライヤーデバイスパッケージ： TO-247-4L
パッケージ/ケース：TO-247-4
特徴
低オン抵抗
高速スイッチング
大幅な低消費電力
並列動作が容易
駆動が容易
鉛フリーめっき
高速逆回復
RoHS対応
詳細については、陳氏までお電話でお問い合わせください。
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