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販売 INFINEON NチャンネルMOSFET IPT015N10N5 OptiMOS™ 5 パワートランジスタ、100 V

販売 INFINEON NチャンネルMOSFET IPT015N10N5 OptiMOS™ 5 パワートランジスタ、100 V

ソース:このサイト時間:2023-06-12ブラウズ数:

深圳市明佳達電子有限会社【販売 INFINEON】NチャンネルMOSFET IPT015N10N5 OptiMOS™ 5 パワートランジスタ、100V 新品オリジナル価格 アドバンテージ 品質保証!特徴-正確な高周波スイッチングと同期記録。-優れたゲート特性(FOM)。-非常に低いオン状態抵抗RDS(on)…

深圳市明佳達電子有限会社【販売 INFINEON】NチャンネルMOSFET IPT015N10N5 OptiMOS™ 5 パワートランジスタ、100V 新品オリジナル価格 アドバンテージ 品質保証!


特徴

-正確な高周波スイッチングと同期記録。

-優れたゲート特性(FOM)。

-非常に低いオン状態抵抗RDS(on)。

-Nチャンネル、ノーマルレベル

-テスト済みで100%ダメージフリー

-鉛フリーメッキ;RoHS対応

-ターゲットアプリケーションのためのJEDEC1)に従った証明書


製品特性

シリーズ:OptiMOS™(オプティモス  

FETタイプ:Nチャンネル  

技術:MOSFET(メタルオキサイド)  

ドレインソース電圧 (Vdss): 100 V  

25℃におけるドレイン電流(Id):300A(Tc)  

駆動電圧(最大Rds On、最小Rds On):6V、10V  

オン抵抗(最大)(異なるId、Vgs時):1.5ミリオーム@150A、10V  

異なるIdにおけるVgs(th)(最大):3.8V @ 250µA  

ゲートチャージ(Qg):211 nC @ 10 V  

Vgs (最大): ±20V  

入力容量(Ciss):16000 pF @ 50 V(最大)、Vdsによって異なる  

FETの機能: -  

電力損失(最大): 375 W(Tc)  

動作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)  

実装タイプ: 表面実装タイプ  

サプライヤーデバイスパッケージ: PG-HSOF-8-1  

パッケージ/ケース: 8-PowerSFN  

基本部品番号: IPT015

IPT015N10N5.jpg

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