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(64Mbit) S27KL0642GABHI033、S27KL0642GABHA020擬似静的ランダムメモリ(PSRAM)

(64Mbit) S27KL0642GABHI033、S27KL0642GABHA020擬似静的ランダムメモリ(PSRAM)

ソース:本站時間:2023-06-09ブラウズ数:

デバイスの説明です:S27KL0642GABHI033とS27KL0642GABHA020はいずれも64 mビットの擬似静的ランダムメモリ(PSRAM)で、24-FBGAピンパッケージを採用しています。HYPERRAM™は、xSPI (Octal)インタフェースを備えた高速なCMOSメモリです。DRAMアレイは定期的なリフレッシュ…

デバイスの説明です:

S27KL0642GABHI033とS27KL0642GABHA020はいずれも64 mビットの擬似静的ランダムメモリ(PSRAM)で、24-FBGAピンパッケージを採用しています。HYPERRAM™は、xSPI (Octal)インタフェースを備えた高速なCMOSメモリです。DRAMアレイは定期的なリフレッシュを必要とする動的ユニットを使用します。メモリがxSPIインタフェースマスター(ホスト)によってアクティブに読み書きされていない場合、デバイス内のリフレッシュ制御ロジックがDRAMアレイ上のリフレッシュ動作を管理します。ホストがリフレッシュ動作を管理する必要がないため、ホストから見ると、DRAMアレイはリフレッシュせずにデータを保持するために静的なセルを使用しているように見えます。そこで、メモリをより正確に擬似静的RAM (PSRAM)と表現します。


DRAMセルは読み出し/書き込みトランザクション中にリフレッシュできないため、必要に応じて内部論理リフレッシュ動作を可能にするために、ホストに読み出し/書き込みバースト転送長を制限する必要があります。ホストはトランザクションの持続時間を制限し、追加の初期アクセス遅延を許容しなければなりません。


重要な特性です

・コンパクトな形状——FBGAパッケージは占板スペースを小さく確保しています

・ピン数の少なさ——ピン数の少なさは設計の簡素化とシステムコストの削減につながります。

低消費電力—ハイブリッドスリープモードと部分的なアレイリフレッシュでエネルギー効率が向上します

・高スループット——高読み書き帯域幅がシステム性能を最大化します。

规格1.png

ハイパーramは、高スループット、低ピン数、コンパクトさ、エネルギー効率などの利点があり、自動車、産業、通信分野の多くの用途に適した拡張ストレージとして理想的です。


デバイスの仕様です。

メモリタイプ:揮発性です

フォーマットはPSRAMです。

技術:PSRAM(擬似SRAM)です

記憶容量は64 mビットです

メモリ組織:8 m x 8です

ハイパーバスです

クロック周波数は200 MHzです

書きます-字,ページ:35ns

アクセス時間:35 nsです

電圧-給電:2.7V ~ 3.6Vです。

動作温度は-40℃~ 85℃です。

装着タイプ:表面装着タイプです。

パッケージ/ハウジング:24-VBGAです

ベンダーパッケージ:24-FBGA (6x8)です。

基本品番:S27KL0642です。


必要があれば、私たちと連絡することを歓迎します。

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