デバイス紹介:EPM1270F256C5Nは、(INTEL)MAXIIシリーズの高速起動に対応した不揮発性CPLDで、0.18-mベースの6層金属フラッシュメモリで、密度は論理要素(LE) 1270個(980マクロセル相当)、不揮発性メモリは8Kbitです。MAX IIデバイスは他のCPLDアーキテクチャと比較して、…
デバイス紹介:
EPM1270F256C5Nは、(INTEL)MAX®IIシリーズの高速起動に対応した不揮発性CPLDで、0.18-µmベースの6層金属フラッシュメモリで、密度は論理要素(LE) 1270個(980マクロセル相当)、不揮発性メモリは8Kbitです。MAX IIデバイスは他のCPLDアーキテクチャと比較して、高いI/Oカウント、高速性能、信頼性の高い組み立てを提供します。MAX IIデバイスは、MultiVoltカーネル、ユーザフラッシュメモリ(UFM)ブロック、強化されたシステム内プログラム可能性(ISP)を備え、コストと電力消費を削減し、バスブリッジ、I/O拡張、POR、シーケンス制御、デバイス構成制御などのアプリケーションにプログラム可能なソリューションを提供します。
技術的なパラメータです
プログラム可能なタイプ:システム内プログラム可能です
遅延時間tpd(1)最大値:6.2 nsです。
供給電圧-内部:2.5V、3.3Vです。
論理要素/ブロック数:1270です。
マクロセル数は980です
I/O数:212です。
動作温度:0℃~ 85℃(TJ)です。
装着タイプ:表面装着タイプです。
パッケージ/ハウジング:256-BGAです。
サプライズデバイスパッケージ:256-FBGA (17x17)です。
基本品番:EPM1270です
MAX®II CPLDデバイス設計は次のように使えます。
I/O拡張です
インターフェイスブリッジです
電源管理制御です
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