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供給用トランジスタ IPD06P004N PチャンネルMOSFET 60V 16.4A 63W PG-TO252-3

供給用トランジスタ IPD06P004N PチャンネルMOSFET 60V 16.4A 63W PG-TO252-3

ソース:このサイト時間:2023-05-23ブラウズ数:

明佳達電子有限会社は供給トランジスタIPD06P004N PチャンネルMOSFET 60 V 16.4A 63W PG-TO252-3、輸入オリジナル、品質保証、実際の単一の詳細に議論することができ、興味のある友人は陳氏、電話連絡する歓迎します:+8613410018555、メール: sales@hkmjd.com!特徴- P…

明佳達電子有限会社は供給トランジスタIPD06P004N PチャンネルMOSFET 60 V 16.4A 63W PG-TO252-3、輸入オリジナル、品質保証、実際の単一の詳細に議論することができ、興味のある友人は陳氏、電話連絡する歓迎します:+8613410018555、メール: sales@hkmjd.com!

IPD06P004N.jpg

特徴

- P-チャンネル

- 真の低抵抗RDS(オン)

- テストされ、100%影響を受けません

- 正常なレベル

- エンハンスドモード

- 鉛フリーメッキ、RoHS対応

- IEC 61249-2-21準拠のハロゲンフリー。


仕様パラメーター

FETタイプ:Pチャンネル  

技術:MOSFET(メタルオキサイド)  

ドレイン・ソース電圧(Vdss):60 V  

25℃における連続ドレイン電流(Id):16.4 A (Tc)  

駆動電圧(最大Rds On、最小Rds On):10 V  

Id、Vgsが異なる場合のオン抵抗(最大):90ミリオーム@16.4A、10V  

異なるIdに対するVgs(th)(最大):4V @ 710µA  

ゲートチャージ(Qg)、Vgs(max)違い:27 nC @ 10 V  

Vgs (最大): ±20V  

入力容量(Ciss):1100pF@30V、Vds(max)違い  

FETの機能: -  

電力損失(最大):63W(Tc)  

動作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)  

実装タイプ: 表面実装タイプ  

サプライヤーデバイスパッケージ: PG-TO252-3  

パッケージ/ケース: TO-252-3、DPak (2 Leads + Tab)、SC-63

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