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炭化ケイ素MOSFETモジュール DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 Nチャンネル炭化ケイ素接合トランジスター

炭化ケイ素MOSFETモジュール DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 Nチャンネル炭化ケイ素接合トランジスター

ソース:このサイト時間:2023-05-22ブラウズ数:

深圳市明佳達電子有限会社炭化ケイ素MOSFETモジュール DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 Nチャンネル炭化ケイ素接合トランジスターの供給とリサイクル需給製品:DF17MR12W1M1HFB68BPSA1バッチ: 最新23+パッケージ:モジュール説明DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 EasyPACK™ 1B CoolSiC™ …

深圳市明佳達電子有限会社炭化ケイ素MOSFETモジュール DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 Nチャンネル炭化ケイ素接合トランジスターの供給とリサイクル


需給製品:DF17MR12W1M1HFB68BPSA1

バッチ: 最新23+

パッケージ:モジュール


説明

DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 EasyPACK™ 1B CoolSiC™ MOSFET 1200V、17mΩ昇圧のモノブロックMPPTモジュールで、Generation 1、NTCおよびPressFITコンタクト技術を強化。


特徴

高さ12 mmのクラス最高のパッケージ

最先端のWBG材料とシンプルなモジュール・パッケージの組合せ

非常に低いモジュール・ストライ・インダクタンス

広いRBSOA

第1世代のトレンチ技術を強化した1200VのCoolSiC™ MOSFET

推奨ゲート駆動電圧範囲を+15~+18Vから0... +18 Vから0... -5 V

最大ゲート・ソース間電圧を+23 Vと-10 Vに拡張

過負荷条件下で最大175℃のTvjopを実現

プレスドFITピン

NTC温度センサー内蔵


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