MOSFETは金属酸化シリコン電界効果トランジスタで、動作電圧が最大1 kV (SiC: 2 kV)に達し、スイッチング速度と最適効率を実現します。この革新的な技術は消費者電子、電源、dc-dcコンバータ、電机コントローラ、無線周波数応用、交通交通技術と自働車電子などの広範な応…
MOSFETは金属酸化シリコン電界効果トランジスタで、動作電圧が最大1 kV (SiC: 2 kV)に達し、スイッチング速度と最適効率を実現します。この革新的な技術は消費者電子、電源、dc-dcコンバータ、電机コントローラ、無線周波数応用、交通交通技術と自働車電子などの広範な応用の中で核心的地位を占めます。
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自働車のMOSFET:自働車アプリケーションに適してNチャネル、PチャネルとデュアルチャネルMOSFETパワーの多くの種類のMOSFETはaec-q101以上の認証を取得しています。
NチャネルパワーMOSFET:低、中、高パワーアプリケーションに適した中低圧OptiMOS™とStrongIRFET™パワーMOSFETと、様々なアプリケーションに適したCoolMOS™高電圧パワーMOSFETです。
PチャネルパワーMOSFET:キャリアとして正孔ストリームを採用し、その移働度はNチャネルMOSFET中の電子ストリームよりも小さいです。
相補パワーMOSFET: NチャネルとPチャネルのMOSFETを高および低サイド構成で単一パッケージに統合する。
SIC炭化シリコンMOSFET: CoolSiC™MOSFETシリーズの製品は400 Vから2000 Vの電圧範囲をカバーして、光ボルトのインバータ、電池の充電、エネルギー貯蔵、モーターの駆動、無停電電源(UPS)、補助電源とスイッチング電源(SMPS)などのアプリケーションに適しています。
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