深圳市明佳達電子有限会社ルネサス 72V255LA10TFG CMOS FIFOメモリのご紹介です。IDT72255の機能互換品で、3.3V電源で動作するよう設計されており、非常に低消費電力です。説明72V255LA10TFGは、クロックによる読み出しと書き込み制御を備えた、非常に深い高速CMOSファー…
深圳市明佳達電子有限会社ルネサス 72V255LA10TFG CMOS FIFOメモリのご紹介です。IDT72255の機能互換品で、3.3V電源で動作するよう設計されており、非常に低消費電力です。
説明
72V255LA10TFGは、クロックによる読み出しと書き込み制御を備えた、非常に深い高速CMOSファーストインファーストアウト（FIFO）メモリです。 このFIFOは、従来の超同期式FIFOに比べて、以下のような多くの改善点があります：
- 一方のクロック入力と他方のクロック入力の周波数制限がなくなりました。 周波数選択端子（FS）が削除され，RCLKとWCLKの2つのクロック入力のうち，どちらが高い周波数で動作するかを選択する必要がなくなりました。
- 再送動作に必要な時間が固定され短くなりました。
- 1ワード目のデータ遅延時間は，空のFIFOに1ワード目が書き込まれてから読み出し可能な状態になるまでが固定で短くなりました。 (従来のSuperSyncデバイスで見られた遅延期間に伴うクロックサイクル数の変動は、本SuperSyncファミリでは排除されています。
特徴
- 以下のメモリ構成から選択できます： IDT72V255LA 8192 x 18
- IDT72V275/72V285 および IDT72V295/72V2105 SuperSync FIFO と互換性のあるピンアウト。
- 5V IDT72255シリーズと機能的に互換性があります。
- 10nsの読み書きサイクルタイム（6.5nsのアクセスタイム）
- 固定、ローファーストワードデータ遅延時間
- 5V入力トレラント
- オートパワーオフで待機電力を最小化
- マスターリセットでFIFO全体がクリアされる
- パーシャルリセットでデータはクリアされるが、プログラマブルな設定は保持される。
- 1ワード目のデータ遅延時間を低く固定した再送動作。
- エンプティ、フル、ハーフフルフラグ信号のFIFO状態
- プログラム可能なほぼ空のフラグとほぼ満杯のフラグは、それぞれあらかじめ選択された2つのオフセットのうちの1つにデフォルト設定することができます。
- シリアルまたはパラレルによる部分的なフラグプログラミング
- IDT標準タイミング（EFおよびFFフラグ使用）またはファーストワードパススルータイミング（orおよびIRフラグ使用）を選択可能
属性です：
記憶容量：144K（8K×18本）
機能：シンクロナス
データレート：100MHz
アクセスタイム：6.5ns
電圧 - 供給電圧：3 V ~ 3.6 V
電流-電源（最大）：55mA
バス方向：単方向
拡張タイプ：奥行き、幅
プログラマブルフラグサポート：あり
トランキング機能：あり
FWFT対応：あり
動作温度： 0°C ~ 70°C
マウントタイプ：表面実装
パッケージ/ケース：64-LQFP
サプライヤーデバイスパッケージ： 64-TQFP (10x10)
真新しく、オリジナル、在庫あり、品質保証、問い合わせることを歓迎します：
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