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LPDDR4メモリチップ MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B, MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリー

LPDDR4メモリチップ MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B, MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリー

ソース:このサイト時間:2023-05-05ブラウズ数:

深圳市明佳達電子有限会社【流通メモリチップ】LPDDR4メモリチップ MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B, MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ LPDDR4 16G 512MX32 FBGA, 新しいオリジナル、品質保証を開始しました!MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B、…

深圳市明佳達電子有限会社【流通メモリチップ】LPDDR4メモリチップ MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B, MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ LPDDR4 16G 512MX32 FBGA, 新しいオリジナル、品質保証を開始しました!


MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B、MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B 製品の説明です:

LPDDR4メモリデバイスは、特定のアプリケーションのBOMを節約するために、x16、x32、x64構成に最適化されています。lPDDR4メモリは、性能、消費電力、レイテンシ、物理スペース間の完璧なバランスを提供するので、非常にエネルギー効率が高いです。 これらのLPDDR4メモリは、ハンドヘルド機器、バッテリー駆動のアプリケーション、ウルトラポータブル機器での使用に適しています。


特徴

バッテリー駆動のアプリケーションの消費電力に対応するために最適化されています。

スタンバイ時の消費電力を標準DRAM比で最大1/5まで削減。

マルチチップパッケージ(MCP)およびパッケージスタック(PoP)設計によるPCBスペースの節約

DDR4と比較してピーク帯域幅が33%向上しています。


仕様

製品タイプ:ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリー

タイプ: SDRAM - LPDDR4

実装形態:SMD/SMT

パッケージ/ケース:FBGA

湿度感度:あり

製品タイプ:DRAM

工場出荷時パック数:1360

サブカテゴリ:メモリ・データストレージ


アプリケーション

オートモーティブ

インダストリアル

コンシューマーエレクトロニクス


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