供給【TIカーチップ】UCC21755QDWRQ1カーゲートドライブ

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供給【TIカーチップ】UCC21755QDWRQ1カーゲートドライブ

ソース:このサイト時間:2023-04-28ブラウズ数:

深セン市明佳達電子有限公司は【TI自働車チップ】UCC21755QDWRQ1自働車ゲートドライブを販売します。製品概要です。ucc21755-q1自動車ゲートドライブは2121VpkまでのSiC MOSFETとIGBT用に設計されています。ucc21755-q1は高度な保護特性、クラス最高の働態性能、ロバスト…

深セン市明佳達電子有限公司は【TI自働車チップ】UCC21755QDWRQ1自働車ゲートドライブを販売します。

製品概要です。

ucc21755-q1自動車ゲートドライブは2121VpkまでのSiC MOSFETとIGBT用に設計されています。ucc21755-q1は高度な保護特性、クラス最高の働態性能、ロバスト性を備えています。また、±10Aまでのピーク電流とシンク電流を持っています。入力側と出力側を分離し、SiO2容量式分離技術を採用し、1.5kVRMSまでの動作電圧、12.8kVPKのサージ耐性(分離ゲート寿命40年以上)、低い部品間オフセットと>150V/nsのコモン・モード雑音抑制能力(CMTI)をサポートします。

ucc21755-q1デバイスは、SiCとIGBTのスイッチング動作を最適化するために、高速過流と短絡検出、分流電流検出サポート、故障報告、アクティブミラークランプ、入出力側電源UVLOなどの高度な保護特性を備えています。

UCC21755QDWRQ1デバイス仕様です:

技術:許容結合です

通路数:1です

電圧-分離:5700Vrmsです

コモン・モード瞬間耐スクランブル(最小値):150V/nsです。

伝搬遅延tpLH / tpHL(最大値):130ns, 130nsです

パルス幅歪み(最大):30nsです

立ち下がり時間(代表値):33ns, 27nsです。

電流-出力高、低:10A、10Aです。

電流-ピーク出力:10Aです

電圧-順方向(Vf)(典型値):-です。