【需給ti】lmg3522r030rqsr 650 v 30 mオメガgan fetデバイスドライブ

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【需給ti】lmg3522r030rqsr 650 v 30 mオメガgan fetデバイスドライブ

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深圳市明佳電子有限会社は650 v[需給ti] lmg3522r030rqsr 30 mオメガgan fetデバイスドライブ。製品概要です。lmg3522r030rqsr 650 v 30 mオメガgan fet集積式のドライブと保護機能を備え、電源スイッチモデルコンバータに適用される。LMG3522R030はシリコンドライバーを…

深圳市明佳電子有限会社は650 v[需給ti] lmg3522r030rqsr 30 mオメガgan fetデバイスドライブ。

製品概要です。

lmg3522r030rqsr 650 v 30 mオメガgan fet集積式のドライブと保護機能を備え、電源スイッチモデルコンバータに適用される。LMG3522R030はシリコンドライバーを1基搭載し、150V/nsのスイッチング速度を実現しています。TI GaN FETの一体型の精密ゲートバイアスは、スプリットシリコンゲートドライバに比べて高いスイッチングSOAを実現します。この統合とTIの低インダクタンスパッケージを組み合わせることで、ハードスイッチング電源トポロジーでクリーンなスイッチと最小のリンギングを提供します。調整可能なゲート駆動強度は,振り子率を20V/nsから150V/nsの間に抑えることができ,EMIをアクティブに制御し,スイッチング性能を最適化するのに使えます。

lmg3522r030 650 v 30 mオメガgan fet高級,電源管理の特性を持つ、デジタル温度を含む報告と故障を検出。報告された障害には、過熱、過電流、UVLO監視が含まれます。

LMG3522R030RQSRの仕様です。

出力構成:ローエンドです。

応用:DCモーター、汎用です

インターフェース:PWMです

負荷タイプ:インダクタンス、容量性、抵抗です

技術:NMOSです

オン抵抗(代表値):26ミリリットルです

電流出力/チャンネル:38Aです

電流-ピーク出力です-

電圧-給電:7.5V ~ 18Vです。

電圧負荷650Vです