INFINEON IQE057N10NM6CGSC 100V OptiMOS™ 6 MOSFETトランジスタIQE057N10NM6CGSCの製品概要IQE057N10NM6CGSCは、100V NチャンネルOptiMOS™ 6 MOSFETトランジスタです。IQE057N10NM6CGSCの仕様トランジスタ極性：Nチャンネルチャンネル数：1チャンネルVds - ドレイン-ソ…
INFINEON IQE057N10NM6CGSC 100V OptiMOS™ 6 MOSFETトランジスタ
IQE057N10NM6CGSCの製品概要
IQE057N10NM6CGSCは、100V NチャンネルOptiMOS™ 6 MOSFETトランジスタです。
IQE057N10NM6CGSCの仕様
トランジスタ極性：Nチャンネル
チャンネル数：1チャンネル
Vds - ドレイン-ソース降伏電圧：100 V
Id - 連続ドレイン電流：98 A
Rds On - ドレイン-ソース間抵抗：5.7 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧：- 20 V, + 20 V
Vgs th - ゲート・ソース・スレッショルド電圧：3.3 V
Qg - ゲート電荷量：26 nC
最低動作温度：- 55
最大動作温度：+ 175 C
Pd - 許容損失：125 W
チャネルモード：エンハンスメント
立ち下がり時間：4.6 ns
製品タイプ：MOSFET
立ち上がり時間：1.9 ns
標準ターンオフ遅延時間：12 ns
標準ターンオン遅延時間：5.6 ns
IQE057N10NM6CGSCの特長
Nチャネル、ノーマルレベル
低オン抵抗 Rps(on)
優れたゲート電荷×Ros(on)積(FOM)
非常に低い逆回復電荷 (Qr)
高アバランシェエネルギー定格
175℃動作温度
高周波スイッチングおよび同期整流用に最適化
鉛フリー鉛メッキ、RoHS対応
IEC61249-2-21に基づくハロゲンフリー
J-STD-020に準拠したMSL 1クラス
IQE057N10NM6CGSCのパッケージ概要
連絡先電話：86-755-83294757
企業QQ：1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
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