商品名称:NチャンネルパワーMOSFET
ブランド:INFINEON
年:25+
パッヶージ:PG-TDSON-8
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:5000 件
ISC320N12LM6 は、120V、OptiMOS™ 6 パワーMOSFETトランジスタで、オン抵抗は32mΩ、SuperSO8パッケージを採用しています。製品詳細は以下の通りです:
基本情報:
型番:ISC320N12LM6
パッケージ:PG-TDSON-8
タイプ:NチャネルパワーMOSFETトランジスタ
ISC320N12LM6 仕様パラメータ:
製品タイプ: MOSFET
技術: Si
実装スタイル: SMD/SMT
パッケージ / 筐体: TDSON-8
トランジスタ極性: Nチャネル
チャネル数: 1チャネル
Vds-ドレイン・ソース間ブレークダウン電圧: 120 V
Id-連続ドレイン電流: 24 A
Rds On-オン抵抗: 15.1 mΩ
Vgs - ゲート-ソース電圧: - 20 V, + 20 V
Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧: 3.7 V
Qg-ゲート電荷: 31 nC
最小動作温度: -55℃
最大動作温度: +175℃
Pd-消費電力: 43W
チャネルモード: エンハンスメント
製品タイプ: MOSFET
トランジスタタイプ: 1 Nチャネル
標準オフ遅延時間: 15ns
標準オン遅延時間: 10ns
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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S29GL512S10FAI013は、65nmプロセス技術で製造されたMIRRORBIT™ Eclipseフラッシュ製品です。これらのデバイスは、15 nsという高速なページアクセス時間と、それに対応する90 nsという高速なランダムアクセス時間を提供します。最大256ワード/512バイトを1回の操作でプロ…S29GL128S11DHBV20
S29GL128S11DHBV20は、65nmプロセス技術で製造されたMIRRORBIT™ Eclipseフラッシュ製品です。これらのデバイスは、15 nsという高速なページアクセス時間と、それに対応する90 nsという高速なランダムアクセス時間を提供します。最大256ワード/512バイトを1回の操作でプロ…S29GL01GT11TFIV13
S29GL01GT11TFIV13は、45nmプロセス技術で製造されたMIRRORBIT™フラッシュ製品です。これらのデバイスは、15 nsという高速なページアクセス時間と、それに伴う100 nsという高速なランダムアクセス時間を実現します。最大256ワード/512バイトを1回の操作でプログラミング…S29GL01GS11TFV013
S29GL01GS11TFV013は、65nmプロセス技術で製造されたMIRRORBIT™ Eclipseフラッシュ製品です。これらのデバイスは、15 nsという高速なページアクセス時間と、それに対応する90 nsという高速なランダムアクセス時間を提供します。最大256ワード/512バイトを1回の操作でプロ…連絡先電話:86-755-83294757
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