FGY4L75T120SWDは,新しいフィールド終止型の第7世代IGBT技術とto-247 4 - leadパッケージを採用した第7世代ダイオードです。このIGBTは、スイッチング損失やオン損失が低く、ソーラー・インバータやUPS、ESSなどのさまざまな用途で効率的な動作を実現するために最適な性能を備えています。
技術仕様です
FGY4L75T120SWDの主な仕様は以下の通りです。
構成:シングルです
コレクタ-エミッタの最大電圧VCEO: 1.2 kVです
コレクタ-射極飽和電圧:1.37 Vです
ゲート/エミッタ最大電圧:20 Vです。
25 Cでの連続集電電流は150 Aです
Pd-電力散逸:652 Wです
最小動作温度:- 55 Cです。
最大動作温度:+ 175 Cです。
シリーズ:FGY4L75T120SWDです
パッケージ:to-247-4です。
インストールスタイル:スルーホールです
コレクタ最大連続電流Ic: 75 Aです
ゲートからのリーク電流は400 nAです
製品タイプ:IGBTsです。
応用分野です
FGY4L75T120SWDは以下の分野で広く使われています。
ソーラー・インバータ
UPSです
エネルギー貯蔵システムです
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ROHM
TO-247GE
1500
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）5μs Short-Circuit Tolerance，650 V30 A，FRD Built-in，TO-247 GE
Microchip
TO-264-3
1500
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）Field stop Low Frequency Combi600 V75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）Field stop Low Frequency Combi600 V50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）Field stop Low Frequency Combi1200 V35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）Field stop Low Frequency Combi600 V100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）IGBT Field stop Low Frequency Combi600 V50 A TO-247
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