商品名称:SRAMメモリ
ブランド:INFINEON
年:25+
パッヶージ:48-VFBGA
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:2000 件
CY7S1061G30-10BVXIは、1,048,576ワード×16ビットで構成される高性能CMOS高速スタティックRAMです。このデバイスの特長は、高速アクセス時間(10 ns)と独自の超低消費電力ディープ・スリープ・モードです。スリープ・モードの電流が45 µAと低いCY7S1061G30-10BVXIデバイスは、業界標準のパッケージ・オプションで、高速SRAMと低消費電力SRAMの最高の機能を兼ね備えています。このデバイスはまた、組み込みECCを備えています。ECCロジックは、アクセスされた場所の1ビットエラーを検出し、訂正することができます。CY7S1061G30-10BVXIデバイスには、読み出しサイクル中にエラー検出および訂正イベントを通知するERRピンが含まれています。
CY7S1061G30-10BVXIの特長
高速
tAA = 10 ns
超低消費電力PowerSnooze™デバイス
ディープスリープ(DS)電流IDS = 45 µA(最大
低いアクティブ電流とスタンバイ電流
ICC = 90-mA(代表値
ISB2 = 20-mA(代表値
広い動作電圧範囲: 1.65 V~2.2 V、2.2 V~3.6 V、4.5 V~5.5 V
シングル・ビット・エラー訂正用組み込みエラー訂正コード(ECC)
1.0Vデータ保持
トランジスタ・トランジスタ・ロジック(TTL)互換入出力
1ビットのエラー検出と訂正を示すエラー表示(ERR)ピン
鉛フリーおよびSn/鉛48ボールVFBGAパッケージで入手可能
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F3L600R10W4S7F-C22TRENCHSTOP™ IGBT7 および CoolSiC™ ショットキー ダイオードと PressFIT / NTC を備えた EasyPACK™ モジュール特徴• 電気的特性-VCES = 950V- IC公称 = 600 A / ICRM = 800 A- CoolSiCTM ショットキー ダイオード Gen 5- TRENCHSTOPTM IGBT7- Tvj連絡先電話:86-755-83294757
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