商品名称:スタティック・ランダム・アクセス・メモリー SRAM
ブランド:Cypress
年:25+
パッヶージ:SOJ-44
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:2500 件
CY7C1021DV33-10VXIは、16ビット65,536ワードで構成される高性能CMOSスタティックRAMです。 このデバイスには、選択解除時に消費電力を大幅に削減する自動パワーダウン機能があります。 デバイスへの書き込みは、チップイネーブル(CE)とライトイネーブル(WE)入力をLowに設定することで行えます。 バイト・ロー・イネーブル(BLE)がLowの場合、I/Oピン(I/O0~I/O7)のデータはアドレス・ピン(A0~A15)で指定された場所に書き込まれます。 バイト・ハイ・イネーブル(BHE)が 「L 」の場合、I/Oピン(I/O8~I/O15)のデータはアドレス・ピン(A0~A15)で指定された場所に書き込まれる。 デバイスからのデータの読み出しは、チップ・イネーブル(CE)と出力イネーブル(OE)をLowに設定し、書き込みイネーブル(WE)をHighに設定することで実現できます。 ローバイトイネーブル(BLE)がLowの場合、アドレスピンで指定されたメモリ位置のデータがI/O0~I/O7に表示される。 バイトハイイネーブル(BHE)がLowの場合、メモリ上のデータはI/O8~I/O15に表示される。
特性
温度範囲
産業用:-40 °C ~ 85 °C
オートモーティブA:-40 °C ~ 85 °C
CY7C1021CV33 とのピンアウトおよび機能互換性
高速性
❐ tAA = 10 ns
低消費電力
❐ ICC = 60 mA @ 10 ns
低CMOSスタンバイ消費電力
ISB2 = 3 mA
2.0 V データ・ホールド
選択解除時の自動パワーダウン
速度/消費電力を最適化するCMOS
上位ビットと下位ビットの独立制御
CY7C1021DV33-10VXI 製品特性
製品タイプ:スタティック・ランダム・アクセス・メモリ(SRAM)
メモリ容量:1Mビット
構成: 64 k x 16
アクセス時間:10 ns
最大クロック周波数: 100 MHz
インターフェース・タイプ:パラレル
電源電圧 - 最大: 3.6 V
電源電圧 - min: 3 V
最大供給電流: 60 mA
最低動作温度: - 40
最大動作温度: + 85
実装スタイル: SMD/SMT
パッケージ/ケース: SOJ-44
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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答え:現在、私たちの自営代理店 TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。
答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。
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