商品名称:ARMマイクロコントローラ - MCU
ブランド:INFINEON
年:25+
パッヶージ:WLCSP-25
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:2000 件
cy8c4745fni-s402は32ビットARM®Cortex®-M0+ベースのマイクロコントローラで、psoc4700シリーズに属します。それをwlcsp−25パッケージ(スリムタイプウエハー級チップ実装)、高密度pcbデザインに適用される。
応用シーンです
智能充電設備:cy8c4745fni—s402できるアダプタや充電器の電源管理と通信制御。
工業統制:gpioとアナログモジュールを通じたセンサ信号の採取と執行器駆動。
自動車電子結合canバスの支持、cy8c4745fni—s402適用車体制御モジュール(bcm)などのシーン。
基本パラメータです
コアプロセッサはARM®Cortex®-M0+です
コアの仕様は32ビットシングルコアです
速度:48MHzです
I2C、IrDA、LINbus、Microwire、スマートカード、SPI、SSP、UART/USARTに対応します。
周辺装置:欠圧検出/リセット,LCD, LVD, POR, PWM, WDTです
I/O数は21です
プログラム記憶容量:32KB (32K × 8)です。
プログラムメモリ:フラッシュメモリです。
EEPROM容量:-です
RAMサイズは4K × 8です
電圧-給電(Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5Vです。
データ変換器:A/D 16x10bです;D/A 2x7bです
発振器タイプ:内部です
動作温度は-40℃~ 85℃です。
装着タイプ:表面装着タイプです。
ベンダーパッケージ:25-WLCSP (2.02x1.93)です。
パッケージ:25-XFBGA, WLCSPです。
基本品番:cy8c4745fni-s402です。
モデル
ブランド
パッヶージ
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説明
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答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。
答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。
インフィニオンテクノロジーズは1999年4月1日にドイツのミュンヘンに正式に設立され、世界をリードする半導体企業の1つです。その前身は、1999年に独立し、2000年に公開されたSiemensGroupの半導体部門でした。その中国名はYihengTechnologyで、2002年以降InfineonTechno…
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TC1791は,TriCore CPU,プログラムメモリとデータメモリ,バス,バスアービトレーション,割り込みコントローラ,周辺制御プロセッサとDMAコントローラ,複数のオンチップ周辺機器を備えた高性能マイクロコントローラです。TC1791は,価格/性能,リアルタイム応答性,計…IPT65R025CM8
IPT65R025CM8はスーパーノット(SJ)原理に基づいて設計された101 A、CoolMOS™CM8 650VパワーMOSFETで、低いスイッチングとオン損失を備えています。低リンギング特性とPFC級、PWM級の汎用性を備え、迅速な設計導入を可能にしたMOSFETです。IPT65R025CM8は高度なチップ接続…IPTC068N20NM6
IPTC068N20NM6パワーMOSFETは,pg-hdsop-16パッケージを採用したNチャネル・ノーマルレベルのMOSFETです。このMOSFETは、IEC61249‑2‑21で規定されている無ハロゲンの要件を満たしており、J‑std-020標準分類による湿潤感度等級(MSL 1)となっている。IPTC068N20NM6は以下…IPP095N20NM6
IPP095N20NM6は116 A、OptiMOS™6 200V出力MOSFETであり、IEC61249‑2‑21に規定されたハロゲンフリーの要件に適合している。IPP095N20NM6デバイスはpg-to220-3パッケージを採用し、優れたゲート電荷xRDS積(FOM)、低逆回復電荷(Qrr)、低オン抵抗RDS(on)を有しています。I…IPP130N20NM6
IPP130N20NM6は、産業用、消費用バッテリーマネジメントシステム(BMS)、モータ制御、駆動用などに使われるOptiMos™6シリーズのパワートランジスタです。主な特徴は次の通りですNトレンチ,正常レベルです200 Vドレインソース電圧です低オン抵抗(R DS(on))です。優良ゲート…IPB095N20NM6
IPB095N20NM6パワーMOSFETは、pg-to263-3パッケージを採用したNチャネルノーマルレベルのMOSFETです。優れたゲート電荷xRDS積(on) (FOM)、非常に低い逆回復電荷(Qrr)、低いオン抵抗RDS(on)を有しています。IEC61249‑2‑21に規定された無ハロゲンの要件を満たしており、J…連絡先電話:86-755-83294757
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