F6102NTGKは、Ka-Band SATCOMフェーズドアレイ・アプリケーション向けにSiGe BiCMOSプロセスで設計された8素子レシーバ・シリコンICです。コアICは、6ビットの位相制御と各チャンネルの30dB利得制御を組み合わせ、放射素子間の微細なビーム・ステアリングと利得補償を実現します。デバイスは16dBの公称電気利得と-30dBmのIP1dBを持つ。コア・チップは、動作周波数にわたってRMS位相誤差3°、RMS利得誤差0.3dBを達成する。標準的な総消費電力は0.32W(各チャンネル40mW)です。
F6102NTGKの特長
17.5GHz~21.5GHz動作
8放射チャンネル
6ビット位相制御
20ns(ゲインセトリング時間
20ns(標準)位相整定時間
3°(代表値)RMS位相誤差
0.3dB(代表値)RMSゲイン誤差
30dBゲイン減衰範囲
5ビットICアドレス
内蔵比例-絶対温度(PTAT)センサー(外部バイアス付き
-40℃~+95℃の温度センサー
プログラマブル4ステート・オンチップ・メモリ
電源電圧 +2.1V~+2.5V
周囲動作温度範囲:-40°C~+95°C
27°C標準動作周囲温度
5mm X 5mm、40-QFNパッケージ
F6102NTGKの比較優位
高い統合
位相および振幅制御の直交性
4ステート・メモリを備えた高度なシリアル・ペリフェラル・インターフェース(SPI)
優れたチャネル間絶縁
最小のフットプリント
F6102NTGKのアプリケーション
KaバンドSATCOM
航空宇宙および海上
ビーム・ステアリング
テストと測定
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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