LTC4381ADKE-3は、9mΩのNチャネルMOSFETを内蔵した低静止電流のeFuse用統合ソリューションです。過電圧保護は、内蔵の9mΩ NチャネルMOSFETのゲート電圧をクランプすることで提供され、自動車負荷の急激な低下などの過電圧イベント時に出力電圧を安全な値に制限します。MOSFETの安全動作領域は、高電圧の過渡ストレスに耐えられることを保証するために製造テストされています。 MOSFETの安全動作領域は、高電圧の過渡ストレスに耐えられることを確認するための製造テスト後に達成されます。 12Vおよび24V/28Vシステム用の固定出力クランプ電圧が利用可能です。 80Vまでのシステムには、調整可能なクランプ・バージョンが使用されます。
過電流保護も提供される。 内部乗算器は、VDSとIDに比例したTMRピン電流を生成し、MOSFETストレスに基づく過電流および過電圧条件下での動作時間を制限します。
GATEピンは逆入力保護用に背中合わせのMOSFETを駆動し、ショットキー・ダイオード・ソリューションの電圧降下と消費電力を排除します。6µAの低動作電流機能は、常時オンやバッテリー駆動のアプリケーションに適しています。
LTC4381ADKE-3製品アプリケーション
車載用12V、24V、48Vシステム
航空電子工学/産業用サージ保護
ホットスワップ/電源プラグイン
バッテリ駆動システム用ハイエンド・スイッチング
車載負荷サージ保護
LTC4381ADKE-3の製品特性
機能:電子ヒューズ
検出方法:ハイエンド
電圧 - 入力: 4V ~ 72V
動作温度: -40°C ~ 125°C (TJ)
実装タイプ:表面実装
パッケージ/ケース: 32-WFDFN Naked Pad
サプライヤーデバイスパッケージ: 32-DFN (7x5)
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