ADRF5162BCPZN 高電力単極両投(SPDT)反射型シリコン・スイッチは、シリコン・プロセスで製造された反射型スイッチです。ADRF5162 は 0.4 GHz~8 GHz の周波数範囲で動作し、標準挿入損失は 0.6dB、標準絶縁は 45 dB です。 このデバイスの挿入損失経路は、45.5 dBm の平均電力と 50 dBm のピーク電力の無線周波数(RF)入力電力処理能力を備えています。
ADRF5162BCPZN は、+3.3V 正電源で 130μA、-3.3V 負電源で 500μA と低消費電力です。 ADRF5162は追加のドライバ回路を必要としないため、GaNやPINダイオード・ベースのスイッチの置き換えに最適です。
ADRF5162BCPZN は、24 リード、4.0mm × 4.0mm、RoHS 準拠のリードフレーム・チップ・ スケール・パッケージ(LFCSP)で提供され、動作温度範囲は -40℃ ~ +105℃です。
ADRF5162BCPZN のアプリケーション
軍事無線、レーダー、電子対策
携帯電話インフラ
テストおよび計測
GaNおよびPINダイオードの置き換え
ADRF5162BCPZN 仕様
メーカー:アナログ・デバイセズ
製品カテゴリ: RFスイッチIC
スイッチ構成: SPDT
最小周波数:400 MHz
最大周波数: 8 GHz
介在損失:0.6 dB
クローズド絶縁: 標準: 30 dB
最低動作温度: - 40
最大動作温度: + 125 C
実装スタイル: SMD/SMT
パッケージ/ケース: LFCSP-24
湿度感度: はい
スイッチ数: シングル
アイドル時間-最大: 800 ns
ランタイム-最大: 800 ns
動作周波数: 400 MHz~8 GHz
動作電源電流: 130 uA、500 uA
電源電圧-最大: 3.45 V
電源電圧 - min: - 3.45 V
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