商品名称:TCR5AM10
データマニュアル:TCR5AM10.pdf
ブランド:TOSHIBA
年:1728+
パッヶージ:DFNB5
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:15000 件
TCR5AM シリーズは、超低ドロップアウト電圧、低突入電流、高速負荷過渡応答を特徴とするオン/オフ制御入力付 きの CMOS シングル出力ボルテージレギュレータです。
また、2次側バイアスレールを基準電圧として使用することにより、IOUT=300mA (1.1V output, VBAT=3.3V ) で90mV (Typ.) という超低ドロップアウトを実現している点が特徴となっています。
出力電圧は0.55V~3.6Vの固定出力で、最大500mAまで駆動することができます。また、過電流保護、過温度保護、低電圧誤動作防止、オートディスチャージ機能などの機能を備えています。
TCR5AM シリーズは、超小型のプラスチックモールドパッケージDFN5B (1.2 mm x 1.2 mm; t 0.38 mm)で提供されます。
小型のセラミックコンデンサを使用できるため、携帯電話などの高密度実装が要求される携帯機器に最適です。
特長
• 低ドロップアウト電圧
• VIN-VOUT = 90 mV (Typ.) at 1.1 V output, VBAT = 3.3 V , IOUT = 300 mA
• 低スタンバイ電流( IB(OFF) = 2 μA (Max) at VBAT = 5.5 V, VCT = 0 V)
• 低静止バイアス電流 ( IB = 40μA (Typ.) at VBAT = 5.5 V, IOUT = 0 mA )
• ワイドレンジ出力電圧ラインアップ(VOUT = 0.55~3.6 V)
• 過電流保護回路
• 過温度保護回路
• 突入電流保護回路
• 低電圧誤動作防止機能
• オートディスチャージ機能
• CONTROL-GND間プルダウン接続可能
• 超小型パッケージ DFN5B (1.2 mm x 1.2 mm; t 0.38 mm)
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。
答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。
答え:現在、私たちの自営代理店 TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。
答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。
答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。
答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。
TOSHIBA(Toshiba)は、日本最大の半導体メーカーであり、統合モーターメーカーとして2番目に大きなメーカーであり、三井物産グループに所属しています。東芝(旧東京電力株式会社)は、1939年に柴浦製造株式会社と東京電力株式会社が合併して設立され、140年の歴史があり…
CTS521
CTS521 小信号ショットキーバリアダイオード、さまざまな設計要件を満たす電圧および電流定格。製品属性製品カテゴリ: ショットキーダイオードおよび整流器 製品: ショットキーダイオード 実装スタイル: SMD/SMT パッケージ/ケース: SOD-882-2 構成: Single 技術: Si I…XPQR3004PB
XPQR3004PBはシリコンNチャンネルMOSトランジスタです。製品属性FETタイプ Nチャンネル技術 MOSFET(酸化金属)ドレイン・ソース間電圧 (Vdss): 40 V電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25C: 400A (Ta)駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): 6V、10VRdsオン(最大)@Id、Vgs…TK10A80E
東芝のπ-MOS VIII MOSFETは、東芝の第8世代プレーナ半導体プロセスをベースとした10Vゲート駆動のシングルNチャネルデバイスで、高集積度と最適化されたセル設計を兼ね備えています。 この技術により、低RDS(ON)の利点を失うことなく、ゲート電荷とキャパシタンスを前世…TW070J120B,S1Q
TW070J120B,S1Qスイッチング電圧レギュレータアプリケーションのために設計された第3世代の炭化シリコンMOSFETです製品仕様です:FETタイプ:Nチャネルです技術:SiCFET(炭化ケイ素)ですドレインソース電圧(Vdss): 1200 Vです25C時電流-連続ドレイン(Id): 36A (Tc)です駆動電…TW015N120C,S1F
TW015N120C,S1F Nチャンネル1200V 100A第3世代(SiCショットキーバリアダイオード内蔵)チップで設計されたMOSFETデバイスです。製品仕様です:FETタイプ:Nチャネルです技術:SiCFET(炭化ケイ素)ですドレインソース電圧(Vdss): 1200 Vです25C時電流-連続ドレイン(Id): 100A (…TW140N120C,S1F
TW140N120C,S1F (1200V)第3世代(SiCショットキーパスダイオード内蔵)MOSFETデバイスは低消費電力化と電力密度の向上に貢献します。これは炭化ケイ素(SiC)技術がより高い電圧、より速いスイッチ、より低いオン抵抗をデバイスに提供することを可能にしているためです。応用…連絡先電話:86-755-83294757
企業QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
サービス時間:9:00-18:00
連絡先メールボックス:sales@hkmjd.com
会社の住所:広東省深圳市福田区振中路国利ビル1239~1241号室
CopyRight©2022 明佳達著作権の所有 広東ICP備05062024号-12
公式QRコード
友情リンク: