商品名称:IGBT モジュール
ブランド:INFINEON
年:24+
パッヶージ:AG-62MMHB
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
FF800R12KE7PEは62mm1200V,800A低飽和電圧降下のFasttrenchIGBTハーフブリッジモジュールで,TRENCHSTOP™IGBT7とエミッタ製御第7世代ダイオードを採用している。プリコートされた熱伝導媒体バージョンも提供されます。
電気的特性です
- VCES = 1200 Vです
- IC nom = 800 A / ICRM = 1600 Aです
-溝ゲートIGBT7です
- VCEsat正の温度系数です
機械的特性です
標準パッケージです
- 4 kV交流1分絶縁します
高い走行距離と電気的ギャップです
高出力です
絶縁基板です
パッケージCTI > 400です
応用です:
・トリプルレベル応用です
・商業用農業車両です
・高出力コンバータです
・モーター駆動です
・サーボドライブです
太陽エネルギーの応用です
・UPSシステムです
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
INFINEON
MODULE
2000
IGBT モジュール トレンチ フィールド ストップ トリプル インバータ 950 V 310 A 20 mW ベース マウント
INFINEON
Module
2000
IGBTモジュール トレンチフィールドストップ 2 独立 1200 V 600 A 20 mW シャーシ実装 AG-ECONOD
答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。
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答え:現在、私たちの自営代理店 TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。
答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。
答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。
答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。
インフィニオンテクノロジーズは1999年4月1日にドイツのミュンヘンに正式に設立され、世界をリードする半導体企業の1つです。その前身は、1999年に独立し、2000年に公開されたSiemensGroupの半導体部門でした。その中国名はYihengTechnologyで、2002年以降InfineonTechno…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
TC1791は,TriCore CPU,プログラムメモリとデータメモリ,バス,バスアービトレーション,割り込みコントローラ,周辺制御プロセッサとDMAコントローラ,複数のオンチップ周辺機器を備えた高性能マイクロコントローラです。TC1791は,価格/性能,リアルタイム応答性,計…IPT65R025CM8
IPT65R025CM8はスーパーノット(SJ)原理に基づいて設計された101 A、CoolMOS™CM8 650VパワーMOSFETで、低いスイッチングとオン損失を備えています。低リンギング特性とPFC級、PWM級の汎用性を備え、迅速な設計導入を可能にしたMOSFETです。IPT65R025CM8は高度なチップ接続…IPTC068N20NM6
IPTC068N20NM6パワーMOSFETは,pg-hdsop-16パッケージを採用したNチャネル・ノーマルレベルのMOSFETです。このMOSFETは、IEC61249‑2‑21で規定されている無ハロゲンの要件を満たしており、J‑std-020標準分類による湿潤感度等級(MSL 1)となっている。IPTC068N20NM6は以下…IPP095N20NM6
IPP095N20NM6は116 A、OptiMOS™6 200V出力MOSFETであり、IEC61249‑2‑21に規定されたハロゲンフリーの要件に適合している。IPP095N20NM6デバイスはpg-to220-3パッケージを採用し、優れたゲート電荷xRDS積(FOM)、低逆回復電荷(Qrr)、低オン抵抗RDS(on)を有しています。I…IPP130N20NM6
IPP130N20NM6は、産業用、消費用バッテリーマネジメントシステム(BMS)、モータ制御、駆動用などに使われるOptiMos™6シリーズのパワートランジスタです。主な特徴は次の通りですNトレンチ,正常レベルです200 Vドレインソース電圧です低オン抵抗(R DS(on))です。優良ゲート…IPB095N20NM6
IPB095N20NM6パワーMOSFETは、pg-to263-3パッケージを採用したNチャネルノーマルレベルのMOSFETです。優れたゲート電荷xRDS積(on) (FOM)、非常に低い逆回復電荷(Qrr)、低いオン抵抗RDS(on)を有しています。IEC61249‑2‑21に規定された無ハロゲンの要件を満たしており、J…連絡先電話:86-755-83294757
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