GD35PIA120C5SNF IGBT パワー モジュールは超低い伝導の損失、また短絡 ruggedness.They を一般的なインバーターおよび UPS のような適用のために設計されています提供します。
GD35PIA120C5SNF の特徴
低VCE(sat)トレンチIGBT技術
8μs の短絡の機能
正の温度係数を持つVCE(sat)
最大ジャンクション温度175
低インダクタンスケース
高速かつソフトな逆回復アンチパラレルFWD
DBC技術による絶縁銅ベースプレート
PressFITコンタクト技術
GD35PIA120C5SNFの代表的なアプリケーション
モータ駆動用インバータ
ACおよびDCサーボドライブアンプ
無停電電源装置
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
INFINEON
MODULE
2000
IGBT モジュール トレンチ フィールド ストップ トリプル インバータ 950 V 310 A 20 mW ベース マウント
INFINEON
Module
2000
IGBTモジュール トレンチフィールドストップ 2 独立 1200 V 600 A 20 mW シャーシ実装 AG-ECONOD
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スターパワーは2005年4月に設立され、IGBTベースのパワー半導体チップとモジュールの設計、開発、生産、販売サービスを専門としており、現在、中国のパワー半導体デバイス分野のリーディングカンパニーである。 浙江省嘉興市に本社を置き、上海、重慶、浙江、ヨーロッパに…
ID10FFX60U5SS
ID10FFX60U5SS - 600V、10Aコンパクト - IPMモジュール、最新のトレンチIGBT技術で優れた総合損失トレードオフを実現。モデル: ID10FFX60U5SS (コンパクト - IPMモジュール)パッケージ:U5定格電圧:600V定格電流:10Aチップタイプ:トレンチ-FS Gen1回路アーキテクチャ:…ID05FFX60U5SS
ID05FFX60U5SS - 600V、5Aコンパクト - IPMモジュール、U5パッケージモデル: ID05FFX60U5SS (コンパクト - IPMモジュール)パッケージ:U5定格電流:5Aチップタイプ:トレンチ-FS Gen1定格電圧:600V回路アーキテクチャ:シックスパック/シックスセルID05FFX60U5SS - 製品…DG75H12T2
DG75H12T2 は、超低導通損失および低スイッチング損失を提供する IGBT パワーディスク リートです。一般的なインバータやUPSなどのアプリケーション向けに設計されています。DG75H12T2の特長低VCE(sat)トレンチIGBT技術低スイッチング損失最大ジャンクション温度175正の温…DG50H12T2
DG50H12T2はIGBTパワーディスクリートで、超低導通損失と低スイッチング損失を実現します。一般的なインバータやUPSなどの用途に設計されています。DG50H12T2の特長低VCE(sat)トレンチIGBT技術低スイッチング損失最大ジャンクション温度175正の温度係数を持つVCE(sat)高速…DG40H12T2
DG40H12T2 は、超低導通損失および低スイッチング損失を提供する IGBT パワーディスク リートです。一般的なインバータやUPSなどのアプリケーション向けに設計されています。DG40H12T2の特長低VCE(sat)トレンチIGBT技術低スイッチング損失最大ジャンクション温度175正の温…ID50FFX60U3S
ID50FFX60U3S - 600V、50Aコンパクト - IPMモジュール、U3パッケージID50FFX60U3S- 製品仕様:モデル: ID50FFX60U3S (コンパクト - IPMモジュール)パッケージ: U3定格電圧:600V定格電流:50Aオン状態電圧降下 VCE(sat) Tvj=25℃ typ:1.70Vチップタイプ: Trench-FS Gen…連絡先電話:86-755-83294757
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