.XT相互接続技術とTRENCHSTOP™ IGBT5を搭載したこのFF1200XTR17T2P5 1700 V、1200 A XHP™ 2 Dual IGBTモジュールは、高出力トラクション・アプリケーションや風力タービン・コンバータ・アプリケーション向けに、高い信頼性と堅牢性、高いシステム可用性と長寿命を提供します。 プレコートされた熱インターフェース材料(TIM)バージョンもあります。
特性
- 広い動作温度範囲(動作接合部温度(Tvjop)= 175°C)
- 同じ寸法で出力電流が25%以上増加
- 銅ボンディングによる高い通電容量
- 焼結技術によるチップのパワーサイクル能力の向上
- 総損失を最大20%低減
- パッケージの相対漏れ沿面指数(CTI)>600
利点
- モジュールの並列化が容易
- 電力密度を最大25%向上
- 最大10倍の長寿命
- 同じ出力電力に必要な放熱が少ない
- より高いシステム過負荷バーに耐える
用途
- ハイパワーコンバーター
- モータードライブ
- トラクション・コンバーター
- 風力タービン
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
INFINEON
MODULE
2000
IGBT モジュール トレンチ フィールド ストップ トリプル インバータ 950 V 310 A 20 mW ベース マウント
INFINEON
Module
2000
IGBTモジュール トレンチフィールドストップ 2 独立 1200 V 600 A 20 mW シャーシ実装 AG-ECONOD
答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。
答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。
答え:現在、私たちの自営代理店 TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。
答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。
答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。
答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。
インフィニオンテクノロジーズは1999年4月1日にドイツのミュンヘンに正式に設立され、世界をリードする半導体企業の1つです。その前身は、1999年に独立し、2000年に公開されたSiemensGroupの半導体部門でした。その中国名はYihengTechnologyで、2002年以降InfineonTechno…
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TC1791は,TriCore CPU,プログラムメモリとデータメモリ,バス,バスアービトレーション,割り込みコントローラ,周辺制御プロセッサとDMAコントローラ,複数のオンチップ周辺機器を備えた高性能マイクロコントローラです。TC1791は,価格/性能,リアルタイム応答性,計…ISZ056N03LF2S
ISZ056N03LF2Sは、(インフィニオン)が発表したStrongIRFET™2 30VパワーMOSFETで、72 Aの電流を持ち、低スイッチング周波数と高スイッチング周波数に最適化して設計の柔軟性を実現しました。ISZ056N03LF2Sはエネルギー効率が高く、システム全体の性能を向上させ、ロバスト…ISZ033N03LF2S
ISZ033N03LF2Sは、109 A、StrongIRFET™2 30VパワーMOSFETで、低スイッチング周波数と高スイッチング周波数に最適化し、設計の柔軟性を実現しました。キーパラメータは以下の通りです。FETタイプ:Nチャネルです技術:MOSFET(金属酸化物)ですドレインソース電圧(Vdss): 30 …IPD030N03LF2S
IPD030N03LF2Sは、【Infineon】が発表した99 A、StrongIRFET™2 30VパワーMOSFETです。エネルギー効率が高く、システム全体のパフォーマンスを向上させ、ロバスト性にも優れています。IPD030N03LF2Sは低スイッチング周波数と高スイッチング周波数に最適化し,設計の柔軟性…IPD040N03LF2S
IPD040N03LF2Sは73 A、StrongIRFET™2 30VパワーMOSFETで、低スイッチング周波数と高スイッチング周波数に最適化し、設計の柔軟性を実現しました。高いエネルギー効率でシステム全体の性能を向上させ、ロバスト性も優れています。IPD040N03LF2Sの典型的なアプリケーション…IPT65R025CM8
IPT65R025CM8はスーパーノット(SJ)原理に基づいて設計された101 A、CoolMOS™CM8 650VパワーMOSFETで、低いスイッチングとオン損失を備えています。低リンギング特性とPFC級、PWM級の汎用性を備え、迅速な設計導入を可能にしたMOSFETです。IPT65R025CM8は高度なチップ接続…連絡先電話:86-755-83294757
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