A3M36SL037IAAT2は、小型で高性能を必要とするワイヤレス・インフラ・アプリケーション向けの完全集積型ドハティ・パワー・アンプ・モジュールです。 mMIMOシステム、屋外スモールセル、低電力RFプルアウト・アプリケーションに適しています。 この実績あるLDMOSパワーアンプは、TDD LTEおよび5Gシステム向けに設計されています。
このモジュールには、自動バイアス機能と生産設定を上書きするオプションが統合されています。 自動バイアスは、電源投入時にトランジスタ・バイアスを温度に合わせて自動的に設定・調整します。 モジュールには温度監視用のセンサーも統合されている。 モジュールとの通信は、I2CまたはSPI経由で行うことができます。
A3M36SL037IAAT2の特徴
高性能内部パッケージ・ドハティ
完全整合(50Ω入出力、DCブロッキング)
複雑さの少ないデジタル線形化システムに最適
電源投入時の自動バイアス
温度検知
デジタル・インターフェース(I2CまたはSPI)
バイアス条件設定用の組み込みレジスタとDAC
TDD動作用のTxイネーブル制御ピン
A3M36SL037IAAT2の仕様:
メーカー: NXP
製品カテゴリ:RFモジュール
ファミリ: A3M36SL037
製品:RFアンプ
周波数: 3.4 GHz~3.8 GHz
出力電力: 5 W
インターフェースタイプ: I2C、SPI
電源電圧-最小:24 VDC
電源電圧-最大: 30 VDC
最大動作温度: + 125 C
寸法: 10 mm x 8 mm
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